Le coréen SK Hynix a annoncé sa nouvelle génération de mémoire vive HBM3. Étudiés pour délivrer des vitesses de transferts toujours plus élevées, tout en profitant d'une efficacité énergétique sérieusement peaufinée, ces modules serviront notamment de mémoire vidéo pour de futures cartes graphiques hautes performances.
Alors que la DDR4, disponible depuis 2014, commence à prendre de l'âge, la DDR5 est sur le point de faire son entrée sur le marché. Le revendeur chinois XFastest a partagé cette semaine des photos des premières barrettes de DDR5 signées Crucial. Elles sont théoriquement prêtes à être commercialisées.
Le fabricant coréen de semi-conducteurs SK Hynix a annoncé qu'il entamait la production de masse de modules LDDR5 de 18 Go. Destinés à nos mobiles, ces derniers devraient se généraliser dans un premier temps sur les modèles haut de gamme et les smartphones gaming.
Corsair lance un total de 4 kits de 192 Go de RAM. Avant tout destinés à accompagner l'Intel Core Xeon W-3175X et ses 28 cores, ces derniers sont listés à pas moins de 3000 dollars dans leur déclinaison la plus haut de gamme (DDR4-4000 en CL19). Chaque kit, composé de 12 barrettes de 16 Go, est par ailleurs livré avec deux dissipateurs externes Vengeance Airflow.
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Dans les tuyaux depuis quelques années déjà, la DDR5, prochain standard de mémoire vive, arrivera sur le marché dès l'année prochaine. À la clé, une bande passante doublée et quelques nouveautés techniques bien senties, détaillées par le JEDEC.
La DDR4 a encore de beaux jours devant elle, mais le marché devrait bientôt commencer à entamer sa transition vers le nouveau standard DDR5. Une transition pressentie chez AMD à l'horizon 2022, date du passage à l'architecture Zen 4, gravée en 5 nm et profitant du PCI-Express 5.0.
De la mémoire flash non-volatile toute aussi véloce que de la DRAM, mais 100 fois plus économe en énergie, c'est ce que des chercheurs britanniques ont réussi à concevoir. Cette nouveauté pourrait avoir un intérêt concret pour le futur de nos ordinateurs.
Que serait un salon consacré à l'électronique sans modding PC ? Parcourant les allées du CES, nos deux journalistes n'ont pu se détourner du stand lumineux de Thermaltake.
G.SKILL / Tom's Hardware US
G.Skill renouvelle son offre en mémoire vive hautes performances pour plateformes HEDT. Cette semaine, le constructeur taïwanais levait ainsi le voile sur une flopée de barrettes DDR4 pour les carte-mères X299 d'Intel et TRX40 d'AMD. La nouvelle plateforme d'AMD accueille pour rappel les puces Threadripper de troisième génération (destinées au nouveau socket sTRX4).
Un nouveau type de mémoire universelle a été breveté par des universitaires britanniques. Il pourrait à terme réduire la consommation électrique des centres de données de 20 %, alors que leur utilisation est de plus en plus intensive.
Crédits : Colin Golberg
Le Computex bat son plein et le fabricant de mémoire G.Skills organise comme chaque année les championnats du monde d'overclocking sur son stand
KenSoftTH / Shutterstock.com
Les gros fabricants de modules mémoires pourraient se refaire sur le second trimestre 2019. C'est ce que l'on apprend de DigiTimes, le média financier taïwanais prédit des expéditions à la hausse sur ce Q2 2019 pour les modules DRAM et NAND. Cette prévision intervient après un premier trimestre de disette, notamment marqué par des prix en berne.
Samsung continue de pousser ses pions sur le marché de la mémoire vive. Après avoir entamé la production de puces 12 Go en LPDDR4X, le géant coréen annonce aujourd'hui, par l'intermédiaire d'un communiqué (via TechPowerUp), avoir développé une troisième génération de DRAM DDR4 8 Gb, gravée en 10 nm (1z-nm).
Crédit : Samsung
Samsung entame la production de modules 12 Go LPDDR4X. Ces nouvelles puces de mémoire vive profitent d'un protocole de gravure en 10 nm, permettant, d'après Samsung, de réduire la consommation énergétique, mais aussi l'encombrement de ces nouveaux modules par rapport aux anciens, gravés en 20 nm.
Toppc, un overclockeur œuvrant pour le compte de MSI, est parvenu à faire grimper une barrette de 8 Go de DDR4 au seuil affriolant de 5 608 MHz. Cette performance vient battre le dernier record mondial en matière d'overclocking sur RAM, établi il y a tout juste quelques jours. Il s'élevait à hauteur de 5 583,2 MHz sur une barrette de DDR4 estampillée A-DATA.
