Très populaire, l'offre en mémoire vive signée Corsair accueille aujourd'hui des nouveaux modules 32 Go de DDR4, sous label Vengeance LPX.

Un nouveau type de mémoire universelle a été breveté par des universitaires britanniques. Il pourrait à terme réduire la consommation électrique des centres de données de 20 %, alors que leur utilisation est de plus en plus intensive.

Le Computex bat son plein et le fabricant de mémoire G.Skills organise comme chaque année les championnats du monde d'overclocking sur son stand

Les gros fabricants de modules mémoires pourraient se refaire sur le second trimestre 2019. C'est ce que l'on apprend de DigiTimes, le média financier taïwanais prédit des expéditions à la hausse sur ce Q2 2019 pour les modules DRAM et NAND. Cette prévision intervient après un premier trimestre de disette, notamment marqué par des prix en berne.

Samsung continue de pousser ses pions sur le marché de la mémoire vive. Après avoir entamé la production de puces 12 Go en LPDDR4X, le géant coréen annonce aujourd’hui, par l’intermédiaire d’un communiqué (via TechPowerUp), avoir développé une troisième génération de DRAM DDR4 8 Gb, gravée en 10 nm (1z-nm).

Samsung entame la production de modules 12 Go LPDDR4X. Ces nouvelles puces de mémoire vive profitent d’un protocole de gravure en 10 nm, permettant, d’après Samsung, de réduire la consommation énergétique, mais aussi l’encombrement de ces nouveaux modules par rapport aux anciens, gravés en 20 nm.

Corsair lance un total de 4 kits de 192 Go de RAM. Avant tout destinés à accompagner l'Intel Core Xeon W-3175X et ses 28 cores, ces derniers sont listés à pas moins de 3000 dollars dans leur déclinaison la plus haut de gamme (DDR4-4000 en CL19). Chaque kit, composé de 12 barrettes de 16 Go, est par ailleurs livré avec deux dissipateurs externes Vengeance Airflow.

La DDR5 arrivera sur le marché en 2020, tandis que le développement de la DDR6 est pour sa part d'ores et déjà en cours.

Toppc, un overclockeur œuvrant pour le compte de MSI, est parvenu à faire grimper une barrette de 8 Go de DDR4 au seuil affriolant de 5 608 MHz. Cette performance vient battre le dernier record mondial en matière d'overclocking sur RAM, établi il y a tout juste quelques jours. Il s'élevait à hauteur de 5 583,2 MHz sur une barrette de DDR4 estampillée A-DATA.

Annoncée en aout durant le Flash Memory Summit qui a eu lieu en Californie, la NAND 4D est désormais parée pour être produite à grande échelle. La dénomination « Flash NAND 4D » a été choisie afin de bien distinguer ce nouveau produit des technologies de NAND 3D actuelles, bien qu’il s’agisse finalement de la 5e génération de NAND 3D de SK Hynix.

Selon DRAMeXchange, le prix des barrettes de RAM, mais aussi celui de la mémoire graphique, bien qu’actuellement stable, pourrait significativement réduire dès 2019 !

Les processeurs Intel Core de 9e génération pourront (enfin) prendre en charge jusqu’à 128 Go de RAM. C’est ce qu’a confirmé dernièrement l’entreprise américaine, profitant de récents progrès technologiques.

Le fabricant taiwanais a profité de l’annonce surprise d’Intel avec son processeur i9-9900K et sa fréquence turbo de 5 GHz pour dévoiler deux kits « double capacité » (2x 32 GB) de DDR4, ainsi qu’une démonstration à 4500 et 4800 MHz.

Samsung n'en finit plus de présenter de nouvelles barrettes mémoire toutes plus performantes les unes que les autres. Aujourd'hui, le géant coréen frappe fort avec la présentation d'une mémoire DDR4 avec 256 Go de capacité.

Micron vient d’annoncer la disponibilité de ses nouvelles puces mémoire GDDR6 pour les cartes graphiques Nvidia série 20. Au programme : débits élevés et consommation réduite, ainsi que des possibilités d’overclocking plutôt sympathiques.

Oui, vous avez bien lu. Par le biais de sa gamme dédiée au gaming Aorus, le constructeur Gigabyte s’apprête à lancer sur le marché des barrettes de RAM factices. L’intérêt ? Purement esthétique.

2015 sera marquée par la sortie de la première puce graphique faisant appel à la première génération de mémoire HBM : c'est la Radeon R9 Fury X d'AMD. Samsung prépare déjà la suite avec la HBM2 qu'il produirait en masse, revenant sur nombre des difficultés ou limitations de la HBM première du nom.

G.Skill annonce la commercialisation des nouveaux kits DDR4 de 64 Go, composés de quatre modules de 16 Go fonctionnant à 3 200 MHz.

Au même titre qu'il commercialise déjà des SSD, AMD vend des barrettes mémoire. La marque ajoute à son catalogue de nouvelles références avec l'arrivée de barrettes de DDR4.

Toujours plus vite ! Alors que les tous nouveaux processeurs Intel Core i7 de sixième génération, nom de code Skylake, étrennent la prise en charge de la DDR4, le fabricant de mémoire G-Skill repousse les limites en matière de fréquence de fonctionnement.

De passage chez Corsair à l'occasion du CES 2015, le salon de l'électronique grand public, nous avons pu découvrir le kit de mémoire DDR4 le plus dispendieux du moment mais aussi le plus rapide, il est vrai.

Concurrencé par Huawei et Lenovo sur les smartphones, Samsung voit sa position s’éroder et doit faire jouer ses atouts pour continuer à créer de la valeur. Il va pour cela investir dans les semi-conducteurs.

G.Skill annonce, en marge de l'IFA, une nouvelle série de kits de mémoire vive de la famille des Ripjaws 4. Au programme, une fréquence encore inédite, à savoir 3 333 MHz.

Le numéro 2 dans le domaine de la fourniture de composants pour la mémoire vive annonce que le marché devrait ralentir. SK Hynix avertit que cette tendance aura des conséquences sur les résultats du groupe.

Le japonais Toshiba demande le versement d’une amende d’1,08 milliard de dollars à son concurrent SK Hynix. Il considère que le groupe sud-coréen a bénéficié d’informations techniques secrètes en embauchant un ancien ingénieur de SanDisk.

En attendant les premières plateformes qui l'exploiteront, tous les principaux fabricants de mémoire vive se mettent en ordre de marche pour l'arrivée de la DDR4. Dans vos PC d'ici la fin de l'année ?

Las Vegas. Impatience. Voilà qui caractérise le plus Crucial, filiale de Micron, au sujet de la mémoire DDR4. La marque présentait en effet sur son stand du CES plusieurs modules de DDR4 prêts à être commercialisés.

Après avoir ouvert la voie à des terminaux mobiles disposant de 3 Go de mémoire vive avec la plus petite des puces au mois de novembre 2013, Samsung porte aujourd'hui la capacité maximale d'une seule puce à 4 Go.

Les deux sociétés viennent de trouver un terrain d'entente et mettent ainsi un terme à un conflit juridique les opposant depuis près de 13 ans. Micron devra pour sa part verser des droits afin de pouvoir utiliser légalement certains brevets appartenant à Rambus en matière de mémoire DRAM.