L'américain Patriot vient d'annoncer le lancement d'une nouvelle gamme de barrettes de mémoire DDR3, baptisée « G-Series », avec un G comme Gamer, et tout particulièrement destinée à la plateforme AM3 d'AMD. Accompagnés d'un macaron « AMD Black Edition Ready », les kits 2 x 2 Go à 1333 et 1600 MHz proposés seraient à même d'être parfaitement exploités par le logiciel d'overclocking Overdrive distribué par AMD. Rien dans les fiches techniques mises en ligne par Patriot ne révèle une quelconque disposition technique spécifiquement conçue pour Overdrive ou l'AM3. Un pur argument marketing ? L'offre G-Series de Patriot se compose pour l'instant de quatre kits de 4 Go : deux versions 1333 Mhz, avec des latences respectives de 9-9-9-24 et 7-7-7-20, et leur équivalent en 1600 MHz. Aucun prix n'a pour l'instant été communiqué.
Petite révolution du domaine de l'informatique, la mémoire à changement de phase, aussi appelée PRAM pour Phase-change Random Access Memory ou PCM pour Phase Change Memory, se fait désirer. Alors que Samsung nous promettait sa commercialisation ce mois-ci, ce dernier se contente finalement d'annoncer qu'il développe les spécifications de cette nouvelle génération de mémoire, conjointement avec Numonyx, jeune alliance entre Intel et ST Micro.
Lors d'un déplacement à Londres, nous avons pu rencontrer Bill Dally, le nouveau Chief Scientist de NVIDIA. Ancien professeur ayant exercé notamment dans la prestigieuse Université de Stanford, Bill Dally supervise depuis quelques mois les départements de recherche technologique de NVIDIA, alias NVIDIA Research, avec l'objectif d'anticiper les changements à venir. Avec quelques confrères européens, nous avons donc questionné le bonhomme afin d'en savoir plus sur les prochaines innovations technologiques de NVIDIA.
La division semi-conducteurs du coréen Samsung présentait hier une toute nouvelle barrette de mémoire DDR3 destinée aux serveurs. Si habituellement ce genre d'annonce passe inaperçu, Samsung propose le tout premier module de DDR3 d'une capacité de 32 Go. Fonctionnant avec une tension d'alimentation de 1,35 volts, la barrette utilise des puces Samsung gravées en 50nm d'une capacité de 4 Gigabit chacune. On dénombre donc un total de 72 puces !
Considérée comme l'avenir de la mémoire Flash, du fait de caractéristiques techniques supérieures, la mémoire à changement de phase, ou PRAM pour Phase-change Random Access Memory, pourrait devenir une réalité commerciale dès le mois de juin prochain. C'est du moins la promesse faite par Samsung, qui annonce qu'il sera en mesure d'en débuter la production à grande échelle à cette date.
La sortie des processeurs Core i7 avait été accompagnée d'une vague de kits de mémoire leur étant spécialement dédiés, et adoptant pour l'occasion le format 3 Go / 6 Go sur trois barrettes, afin de tirer parti du contrôleur mémoire triple canal des dernières puces d'Intel. La sortie des processeurs Phenom II d'AMD n'a pas suscité le même engouement chez les spécialistes de la mémoire, mais certains dévoilent tout de même des séries « AMD Edition » à l'image d'OCZ, qui annonce cette semaine la sortie de quatre nouveaux kits de 2 x 2 Go, dont voici le détail. Pour l'instant, aucun prix n'a été communiqué. Ces barrettes seront garanties à vie, et requièrent une tension de 1,65V.
Les déblocages de la mémoire cache et du quatrième cœur des AMD Phenom II font des émules. Pour Intel, chez qui seul les modèles hauts de gamme ont traditionnellement droit au déblocage, il s'avère en fait que certaines fonctions sont débloquées sur des modèles plus abordables.
Quelques semaines après le lancement de sa nouvelle plate-forme Dragon et de sa gamme de processeurs Phenom II, à l'occasion du CES 2009, le futur ex-fondeur AMD revient sur le devant de la scène pour proposer les déclinaisons AM3 des dits Phenom II. Le but ? Apporter la prise en charge de la mémoire DDR3 aux processeurs AMD, une prise en charge assurée jusqu'alors exclusivement par Intel et ce depuis 2007, déjà !
Après avoir mis sur le marché deux premiers Phenom II tirant parti du socket AM2 et de la DDR2, AMD annonce aujourd'hui l'arrivée de cinq nouveaux modèles qui inaugurent l'AM3, ainsi qu'un contrôleur mémoire DDR3, qui reste compatible avec la DDR2. On pourra donc installer ces Phenom II aussi bien sur une carte mère AM2+ que sur un modèle AM3.
Corsair accompagne l'arrivée sur le marché des plateformes Core i7 avec l'annonce officielle de trois nouveaux kits mémoire haute performance, qu'il a choisi de regrouper sous la marque Dominator GT. Offrant des capacités de 3 ou 6 Go, ces ensembles de barrettes sont logiquement destinés à des contrôleurs triple canal, et se déclinent comme suit.
Samsung, qui présentait fin janvier ses premiers modules de 4 Gb de DDR3, annonce aujourd'hui être parvenu développer, et valider industriellement, ce qui deviendra selon lui les premières puces de mémoire vive DDR2 gravées en 40 nanomètres. Une avancée majeure, selon le sud-coréen, puisqu'elle lui permettrait d'augmenter de 60% sa productivité par rapport aux actuels procédés de fabrication en 50 nanomètres. A capacité équivalente, ces nouvelles puces consommeraient en outre jusqu'à 30% d'énergie en moins.
Samsung vient d'annoncer la finalisation de ce qu'il présente comme les premiers modules de mémoire de 4 Gb (soit 512 Mo) de DDR3. Gravées en 50 nanomètres, ces puces résulteraient de nouvelles méthodes d'assemblage, permettant d'augmenter la densité et d'atteindre cette capacité record. Le sud-coréen évoque une tension de fonctionnement de 1,35V, avec une efficacité énergétique accrue par rapport aux générations précédentes, ainsi qu'une bande passante théorique de 1,6 Gb/s.
C'était il y a un plus d'un an... AMD lançait, non sans mal, son premier processeur à architecture quadri-cœurs, le Phenom. On s'en souvient, la première mouture du Phenom n'avait pas grand-chose de phénoménale, pardonnez-nous ce raccourci il est vrai un rien facile. Censé permettre à AMD de revenir sur le devant de la scène, Phenom n'a pas eu le succès escompté, ses performances étant loin de rivaliser avec les meilleurs processeurs Intel de l'époque alors qu'un bug assez sévère a entaché les premiers mois de commercialisation de Phenom.
C'est aujourd'hui au tour de Crucial de dévoiler des kits de mémoire vive à trois canaux destinés aux nouveaux processeurs Intel Core i7. Composés de trois modules garantis compatibles, ceux-ci seraient d'après le fabricant conçus tout spécialement pour répondre aux exigences de la nouvelle interface mémoire Intel QuickPath, avec laquelle la mémoire et le processeur sont connectés directement.
Hynix annonce cette semaine la sortie prochaine de nouveaux modules de mémoire vidéo, qu'il présente comme étant les plus rapides au monde, avec une bande passante supérieure de 40% à celle des mémoires les plus véloces du marché actuel. Déclinés sous la forme de puces de 1 Gb (128 Mo), ces modules de GDDR5 opèrent à 1750 MHz, et offriraient donc un débit de 7 Gbps par lien du bus mémoire. Associés à une interface 512 bits, comme on en trouve sur les cartes graphiques haut de gamme, ils permettraient donc d'atteindre en pointe une bande passante de 448 Go/s. Gravés en 54 nanomètres, ces modules demandent une tension d'alimentation de 1,35V, inférieure à celle des puces de GDDR5 actuellement disponibles (aux alentours de 1,5V). La production de masse devrait débuter courant 2009. Nvidia ou AMD pourraient donc éventuellement décider d'intégrer cette GDDR5 haute performance sur leurs cartes dès la fin de l'année prochaine.
Le 3 novembre, date de lancement officiel des processeurs Core i7, n'est pas encore arrivé, mais les fabricants de mémoire ne perdent pas de temps pour annoncer leurs premiers kits mémoire à trois barrettes, destinés au contrôleur mémoire sur trois canaux qu'intègre l'architecture Nehalem. Après Corsair et OCZ, ou encore A-Data, c'est au tour de Kingston de dévoiler son offre en la matière. Comme ses concurrents, le fabricant proposera des kits de 3 et 6 Go, mais couvrira une plus large gamme de fréquences, puisque ses barrettes iront de 1066 MHz à 2000 MHz. Toutes intègreront le profil XMP (Extreme Memory Profile) et seront certifiés pour une tension maximale de 1,65V.
Alors qu'Intel lançait sa nouvelle plate-forme Centrino 2 mi-juillet de cette année, AMD lui emboîtait le pas avec l'annonce de son Puma, censé concurrencer le produit de son rival. Si l'avance d'Intel était indéniable avec son Centrino premier du nom et ses Core 2 Duo, AMD a-t-il rattrapé son retard avec son Puma ? Que valent ces deux plates-formes face à face ? En s'appuyant sur deux machines de test relativement similaires, nous nous efforcerons de conclure sur les performances de chacune d'entre elles, en nous focalisant uniquement sur le chipset et le processeur et non sur la puce graphique de nos deux portables.
Alors que l'on attend maintenant le lancement des premiers processeurs Core i7 - nom de code Nehalem - pour le 3 novembre prochain, les fabricants de mémoire dévoilent une offre adaptée à ces nouvelles puces, qui présentent pour mémoire un contrôleur intégré sur trois canaux. Il devient donc pertinent pour eux de mettre au point des jeux de trois barrettes, offrant des capacités de 3 ou 6 Go. Après A-Data, début octobre, c'est maintenant au tour de Corsair et d'OCZ de présenter leurs nouveaux kits.
Epilogue ? Dans un communiqué, la firme spécialisée dans la mémoire vive Rambus avoir obtenu gain de cause auprès de la cour suprême des Etats-Unis suite à une procédure d'appel lancée par Samsung, dans la mesure où cette dernière a été refusée. Cette décision conforte la position de Rambus, qui clame sa propriété sur de nombreuses technologies liées à la conception et à la fabrication de modules de mémoire vive, et fait l'objet de virulentes attaques de la part de fabricants comme Samsung, mais aussi Hynix, Micron ou Nanya, qui refusent de payer des royalties pour l'utilisation de sa propriété intellectuelle.
Bien que la sortie des premiers processeurs Core i7 ne soit pas attendue avant plusieurs semaines, certains fabricants de mémoire décident de prendre les devants, et dévoilent les kits de barrettes mémoire qu'ils destinent aux futures puces d'Intel. Dans la mesure où les Core i7 disposeront d'un contrôleur mémoire intégré sur trois canaux, il deviendra pertinent de proposer des kits composés de trois barrettes, avec des capacités totales de 3 et 6 Go.
Samsung a annoncé lundi tenir à disposition de l'industrie les premiers exemplaires de nouveaux modules de mémoire DDR3, qu'il présente comme les plus petits et les plus économes en énergie disponibles sur le marché. Gravés en 50 nanomètres, ces modules affichent une capacité de 2 Gb (256 mo) et consommeraient selon le fabricant jusqu'à 40% d'énergie en moins que les puces 1 Gb livrées jusqu'ici par ses soins.
Le fabricant américain Buffalo repousse encore un peu plus les limites en étant le premier à annoncer des barrettes de DDR3 capables de fonctionner à 2 400 MHz. Ces prototypes de modules DDR3-2400 ont une capacité de 1 Go et utilisent les puces du fabricant japonais Elpida, qui atteignent un débit de 2,5 Gbps quand elles fonctionnent à 1,5 volt.
Bien que la plupart des utilisateurs grand public utilise encore un système 32 bits, incapable de reconnaitre plus de 3 Go de mémoire vive, OCZ semble persuadé que les systèmes 64 bits vont finir par se démocratiser, et souhaite d'ores et déjà répondre à la demande naissante. Cette semaine, le fabricant lance en effet quatre nouveaux kits de barrettes mémoire DDR2 PC2-6400 (800 MHz), affichant des capacités de 8 ou 16 Go. Ces kits seraient en outre particulièrement adaptés pour les cartes mères à base de chipset P45, avance OCZ, qui ne s'avance toutefois pas à expliquer en quoi consistent les optimisations potentielles.
Le japonais Elpida annonce cette semaine la sortie de ce que qui constituera vraisemblablement la première barrette mémoire de 16 Go jamais mise sur le marché. Au format FB-DIMM, cette mémoire, qui se voit donc logiquement réservée à l'univers des serveurs, réunit 64 modules de 2 gigabits (256 Mo) de DDR2 basse consommation, assemblés selon la technique du « stacked FBGA ». Elpida explique ainsi avoir réussi à obtenir une barrette dont l'épaisseur ne dépasse pas 7,7 mm. Le fabricant affirme en outre que sa consommation électrique serait équivalente à celle des barrettes 8 Go actuellement disponibles sur le marché. Les premiers échantillons seront disponibles dans le courant du mois, alors que la véritable production devrait débuter aux alentours du quatrième trimestre.
L'américain Corsair devrait profiter du prochain salon Computex, se déroulant en Asie, pour annoncer le lancement d'un nouveau kit mémoire ultra haut de gamme de 4 Go, succédant aux kits de 2 Go annoncées précédemment (voir Corsair dévoile sa mémoire DDR3 à 2 GHz). Il s'agit d'un kit de mémoire DDR3, vendu sous l'appellation Dominator et cadencé à 2000 MHz. Qui dit Dominator dit système de refroidissement DHX avec une dissipation thermique maximale.
L'américain OCZ fait une nouvelle fois l'actualité avec l'annonce d'un kit mémoire DDR3 de très haute densité. Le fabricant nous informe en effet de la sortie d'un kit de 4 Go de DDR3 en PC3-16000. Constitué de deux barrettes de 2 Go, ce kit de 4 Go peut opérer à une fréquence de 2 GHz avec des temps de latence annoncés de 9-9-9-28 pour une tension d'alimentation de 1,9 volts.
Il y a quelques semaines, la firme au caméléon profitait du lancement de son GeForce 9800 GX2 pour lever le voile sur le nForce 790i Ultra SLI, son dernier chipset en date pour la plate-forme Intel. Tout nouveau, tout beau, le nForce 790i Ultra SLI est le premier jeu de composants de NVIDIA à prendre en charge la mémoire DDR3 alors qu'il profite d'une gestion native du bus PCI-Express de seconde génération.
Le fabricant OCZ annonce aujourd'hui la sortie d'un nouveau kit de mémoire DDR2. Il s'agit du premier kit de 4 Go en DDR2 qui tourne à des fréquences aussi élevées puisque le fabricant le certifie en DDR2-1150 (1150 MHz) pour des temps de latence de 5-5-5-18. Avec une tension recommandée de 2,1 Volts, le kit PC2-9200 d'OCZ est pourvu du système de refroidissement maison, le Flex II XLC. Pourvues de radiateur à ailettes, les barrettes disposent d'un circuit de refroidissement pouvant être raccordé à un système de watercooling. Comme à son habitude, OCZ n'annonce aucun prix ni date de disponibilité pour ce nouveau kit.
Plusieurs fabricants de mémoire ont indiqué que les prix liés à la mémoire allaient certainement augmenter dans les semaines à venir. Pour Samsung, les prix devraient commencer s'accroître dès ce mois-ci avec un pourcentage d'augmentation à un seul chiffre (on parle de 3 - 4 %).
