Mémoire RAM

Samsung peaufine son passage à la mémoire DDR3. Le fabricant qui produit depuis quelques temps des puces nouvelle génération devrait en effet commercialiser des barrettes DDR3 d'ici la fin de l'année. Pas moins de 21 références différentes de modules DDR3, produits par Samsung, ont ainsi été validés par Intel. A l'heure actuelle, Intel finalise son prochain chipset, le P35, qui prendra en charge la DDR3.

En avril 2006, Samsung annonçait la mise au point de modules de mémoire flash composés de plusieurs puces, empilées les unes sur les autres et capables de communiquer les unes avec les autres grâce à de minuscules canaux percés au laser. Aujourd'hui, le fabricant indique par voie de communiqué qu'il est parvenu à adapter cette technologie pour pouvoir l'employer dans le cadre de la production de barrettes de mémoire vive DDR2.

L'innovation est sans doute un moyen efficace de se démarquer de ses concurrents, mais celle-ci est parfois employée bien mal à propos. En témoigne l'apparition, dans la gamme de produits du fabricant de mémoire américain Geil, d'une nouvelle série baptisée Esoteria, avec des barrettes qui présentent l'insigne particularité d'arborer un revêtement en véritable fibre de carbone. Légère, résistance aux chocs, la fibre de carbone se révèle capable d'encaisser de très importantes températures. En revanche, elle ne brille pas par ses qualités de dissipateur thermique. Geil précise d'ailleurs que le contact avec les puces de mémoire est assuré par un matériau nettement moins exotique et sans doute plus efficace puisqu'il s'agit d'aluminium.

L'américain OCZ, spécialisé dans la mémoire, continue de faire l'actualité avec le lancement aujourd'hui de nouveaux modules de DDR2. Après avoir proposé de la DDR2-1150 supportant un refroidissement liquide, OCZ applique maintenant sa technologie Reaper, de refroidissement passif avec heat-pipe, sur des barrettes de DDR2-1150. Le résultat répond au nom de PC2-9200 Reaper HPC Edition et ces nouvelles barrettes affichent une fréquence de 1,15 GHz pour une tension de 2,3 Volts. Les temps de latence annoncés par OCZ sont de 5-5-5-18. Aucun prix ni date de disponibilité n'est pour le moment annoncé au sujet de ces nouvelles barrettes.

NVIDIA a publié sur le site du fabricant EVGA, une mise en garde concernant l'utilisation de mémoire liée à une tension de 2,4 volts. Des barrettes, très haut de gamme, nécessitent effectivement une telle tension pour fonctionner correctement à certaines fréquences.

Alors que d'autres fabricants de mémoire espèrent beaucoup de la prochaine génération de mémoire pour carte graphique : la GDDR4, le fabricant Qimonda (ex-Infineon) pense faire l'impasse pour se consacrer directement à la GDDR5.

Effet Windows Vista ? En attendant la généralisation de la DDR3, les fabricants sont de plus en plus nombreux à décliner leurs gammes de barrettes autour de kits de deux barrettes de 2 Go pour une capacité totale de 4 Go. Après OCZ ou GSkill, c'est cette semaine au tour de Mushkin de présenter son kit XP2-6400 4 Go, qui réunit deux barrettes de mémoire DDR2 PC6400 (800 MHz) de 2 Go. Affichant des temps de latence de 4-3-3-10, elles sont certifiées pour des tensions allant jusqu'à 2,2 Volts. Ce kit, qui n'est pas encore disponible en France, est affiché à un prix d'environ 500 dollars sur le site du fabricant.

Le fabricant de mémoire OCZ lance, à l'occasion du CeBIT, un nouveau kit de mémoire DDR2 cadencé à une fréquence plutôt très élevée puisqu'il s'agit de DDR2 PC11200 opérant à 1400 MHz. Avec une tension de 2,35 volts, ces barrettes affichent des temps de latence corrects s'établissant comme suit : 5-6-6. La particularité de ces Flex-XLC qui seront proposées en kit de 2 Go vient de leur système de refroidissement qui, s'il n'est pas nouveau chez OCZ, permet rappelons-le de refroidir les puces soit de manière passive soit par watercooling.

Bien que les graveurs HD-DVD actuellement proposés dans le commerce ne prennent pas encore en charge le format HD-DVD RAM, logique successeur de l'actuel DVD-RAM, quelques exemplaires de médias vierges adoptant ce format commencent à faire leur apparition parmi les stands du Cebit. Ritek exposait par exemple un HD-DVD RAM vierge mais ses représentants n'ont pas été en mesure de nous communiquer d'informations précises à son sujet. Nous aurons donc juste la confirmation que les HD-DVD RAM proposeront une capacité de 20 Go alors qu'un HD-DVD simple couche se contente de 15 Go. Le HD-DVD RAM utilise en effet une méthode d'enregistrement différente de celle de son homologue, qui permet d'obtenir une densité plus importante de données à la surface du disque.

Le numéro un mondial des semiconducteurs, Intel, annonce que la mémoire à changement de phase devrait entrer en production de masse avant la fin de l'année. N'oublions pas en effet qu'Intel ne fabrique pas seulement des Processeurs mais également de la mémoire. La mémoire à changement de phase ou mémoire PCM (ou encore PRAM) est appelée à succéder à la mémoire flash. Partageant avec la mémoire flash les mêmes caractéristiques de non volatilité, la mémoire à changement de phase est plus rapide et occupe moins de place d'un strict point de vue physique. Et là où la mémoire flash peut devenir instable après 10 000 écritures, la mémoire PCM est validée pour plus de 100 millions de cycles d'écriture ! Pour le responsable de la technologie mémoire chez Intel, Ed Doller, « La mémoire à changement de phase est proche du Nirvana », rien que ça !

Le coréen Samsung a annoncé la semaine dernière avoir débuté la production industrielle à des fins commerciales de modules de mémoire DDR2 gravés en 60 nanomètres. Ces modules de 128 Mo pièce seront utilisés pour mettre au point des barrettes de mémoire de 512 Mo, 1 Go ou 2 Go, pouvant fonctionner à des fréquences de 667 ou 800 MHz. La gravure en 60 nm permettrait d'augmenter le rendement d'environ 40% par rapport au 80 nm, voire de le doubler par rapport à la production en 90 nanomètres. Samsung estime que l'arrivée de Windows Vista ainsi que de la DDR2 en 60 nm devraient contribuer à démocratiser les modules de 128 Mo en 2007.

Les jours passent et les annonces pleuvent chez OCZ. Le fabricant américain de mémoire officialise aujourd'hui le lancement de ses nouvelles barrettes de DDR2 en PC8500 équipées d'un heat-pipe et déjà dévoilées il y a quelque temps (voir OCZ : un heatpipe pour barrettes mémoire). La particularité de ces nouvelles barrettes vient donc de leur système de refroidissement baptisé Reaper HPC (Heat Pipe Conduit). Concrètement, les sont munies d'un traditionnel radiateur métallique qui se voit relié par un heat-pipe en cuivre à un radiateur supérieur pourvu d'ailettes en aluminium.

Samsung Electronics, numéro 1 sur le marché de la mémoire a profité de l'International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) pour présenter ses prochaines puces de mémoire GDDR4 cadencée à... 4 GHz ! Soit une fréquence 40% plus élevée que ce qui était initialement prévu.

Le fabricant de mémoire a annoncé aujourd'hui une baisse de prix importante sur la plupart de ses produits et notamment sur certaines puces mémoires Flash NAND. Pendant les deux derniers mois, les prix de la mémoire Flash Sandisk ont déjà baissé de 50%, la faute à des stocks trop importants et à une demande plus faible que prévue.

Après l'américain Corsair (voir Des barrettes mémoire pour Mac chez Corsair), c'est au tour de TwinMOS d'annoncer l'arrivée de barrettes mémoires pour les ordinateurs Mac de la célèbre firme à la pomme. Le fabricant va proposer une gamme de barrettes « Series », des barrettes DDR2 qui ont été testé sur les ordinateurs Apple suivants : Mac Book, Mac Mini et Mac Book Pro. Totalement compatibles avec les ordinateurs Mac, la mémoire Mac de TwinMOS est au format DDR2 et est proposée en packs de 512 Mo et 1 Go. Aucun tarif, ni date de disponibilité n'est pour le moment communiqué.

OCZ profite de cette fin de semaine pour dévoiler sa nouvelle barrette mémoire DDR2 PC6400 (800 MHz) : la PC2-6400 Flex XLC CL3. Destinée aux utilisateurs exigeants, cette mémoire certifiée EPP et SLI a pour atout de disposer de temps de latence 3-4-4-15.

Alors que tout le monde s'attendait à une hausse de prix sur la mémoire suite à l'arrivée de AchetezFacile.com, la barrette de mémoire DDR2 1 Go PC5300 (667 MHz) était vendue 85 euros la première semaine de janvier. On la trouve désormais à partir de prixsh:121036.

Comme prévu et afin de correspondre avec la sortie grand public de Windows Vista, les fabricants de mémoire commencent à proposer des kits mémoire de 4 Go composé de de deux barrettes DDR2 de 2 Go. Plusieurs fabricants comme OCZ ont d'ailleurs fait des annonces à ce sujet.

Après les barrettes équipées d'un dispositif permettant de les intégrer à un circuit de refroidissement liquide (watercooling), le fabricant de mémoires OCZ inaugure la mémoire équipée d'un heatpipe afin d'assurer l'évacuation de la chaleur. Précisons tout de suite que ce type d'équipement n'a d'intérêt que pour les amateurs qui passent leur temps à maltraiter leurs barrettes, en leur infligeant une tension électrique et des fréquences très élevées.

Le célèbre fabricant de mémoire Corsair lance à l'occasion du CES ses toutes nouvelles barrettes mémoires de DDR2 en PC10000. Faisant parties de la gamme Dominator, les nouvelles venues sont baptisées Twin2X2048-10000C5DF. Testées et validées à 1250 MHz, les Dominator PC1000 sont avant tout dédiées aux amateurs d'overclocking. Ces barrettes ont reçues la certification NVIDIA SLI Ready et Corsair annonce des temps de latence qui s'établissent comme suit : 5-5-5-18. Bien que déjà très largement au-dessus des spécifications habituelles de la DDR2, ces modules peuvent facilement atteindre les 1313 MHz en fréquence de fonctionnement.

Le fabricant de mémoire Qimonda, autrefois connu sous le nom Infineon, a acheté une licence auprès de Rambus pour produire de la mémoire XDR. Déclinée en versions de 2.4, 3.2, 4.0 et 6.4 GHz, cette mémoire peut fournir une bande passante jusqu'à 4 fois plus élevée que la DDR2.

Alors qu'Elpida présentait hier ses dernières puces mémoires DDR2, élaborées avec une finesse de gravure de 70 nanomètres, le numéro un mondial de la DRAM Samsung annonce aujourd'hui de nouvelles puces de Digital Random Access Memory à destination des appareils mobiles comme les consoles de jeu, les baladeurs multimédia ou les Caméscopes Numériques.

Le fabricant japonais Elpida annonce aujourd'hui entrer dans une phase de production à grande échelle de puces DDR2 gravées en 70 nanomètres. Les premiers échantillons à vocation commerciale seront disponibles dans le courant du premier trimestre 2007.

G.Skill annonce cette semaine le lancement de barrettes de mémoire DDR2-800 (PC-6400) qu'il estime être les premières à afficher des timings aussi bas que 4-4-3-5. Baptisées F2-6400CL4D-2GBHK lorsqu'elles sont proposées sous la forme d'un kit de deux barrettes d'1 Go, elles sont garanties à vie par le fabricant, qui les décline également à l'unité, sous l'appellation F2-6400CL4S-1GBHK. G.Skill préconise une tension d'au moins 2 ou 2,1 V pour que ces barrettes délivrent leur plein potentiel. Leur prix n'a pas encore été communiqué.

Véritable pionnier du Mini-PC, Shuttle ne manque généralement pas d'idées pour renouveler ses gammes de petites machines. Le taïwanais a ainsi passé ces derniers mois à mettre au goût du jour ses produits les plus vendeurs, mais pour apporter des solutions vraiment nouvelles, il dépend du bon vouloir des ténors du milieu, AMD et Intel en tête. Depuis l'arrivée de l'architecture Core de ce dernier, les équipes techniques de Shuttle ont tout naturellement pu se remettre au travail et nous proposer en cette fin d'année 2006 non pas un, mais deux produits assez remarquables. Les Shuttle X100 et P2 3700G ont beau avoir des objectifs radicalement différents, ils n'en demeurent pas moins deux produits novateurs que nous vous proposons de découvrir au travers de ce double article.

Hynix annonce aujourd'hui la naissance d'une nouvelle famille de barrettes de mémoire DDR2 articulées autour de puces de 128 Mo (1 Gb) gravées en 60 nanomètres et cadencées à une fréquence de 800 MHz. Grâce à cette nouvelle finesse de gravure, le coréen estime être en mesure de réduire de 50% le coût de production d'un module de mémoire 128 Mo par rapport à celui de puces gravées en 80 nm.

Samsung fusionne la SRAM (Static Random Access Memory) et la DRAM (Dynamic Random Access Memory) au sein d'une nouvelle génération de mémoire, baptisée « OneDRAM fusion ». Actuellement à l'état de prototype, cette mémoire OneDRAM remplacerait avantageusement les deux catégories de mémoire citées ci-dessus dans des appareils multimédia compacts, permettant de réduire l'encombrement et la consommation électrique tout en améliorant les performances.

Samsung fusionne la SRAM (Static Random Access Memory) et la DRAM (Dynamic Random Access Memory) au sein d'une nouvelle génération de mémoire, baptisée « OneDRAM fusion ».

Depuis maintenant deux ans, , Infineon et sa filiale Quimonda travaillent à l'élaboration d'un nouveau type de mémoire qui pourrait, selon eux, venir avantageusement remplacer la mémoire flash telle qu'on la connait aujourd'hui dans les baladeurs ou les Cartes Mémoire.