Encore à l'état de concept, l'Hybrid Memory Cube a été développée par Micron en collaboration avec le fondeur. Il s'agit d'une nouvelle approche permettant d'améliorer l'efficacité énergétique de la mémoire, avec un rapport de 7 fois, par rapport à l'actuelle DDR3. L'efficacité énergétique n'est pas le seul but de cette mémoire qui offre bien entendu des débits améliorés. On retrouve ici un vieux concept : le die stacking, autrement dit l'empilement de die. La concentration permet d'améliorer les propriétés des cellules mémoire conventionnelles et Intel annonce ici un débit de 1 Tbps. Nous avons ainsi pu voir une démonstration de débit atteignant les 128 Go/s avec un prototype composé d'un circuit de base et de quatre die de mémoire DRAM pour une capacité totale de 512 Mo. L'ensemble consommait seulement 8 Watts pour une tension d'alimentation de 1,2 volts.
Les caractéristiques de l'Hybrid Memory Cube comparées, le système de démo
A titre de comparaison, un module de 4 Go de mémoire DDR3 offre un débit de 10,7 Go/s et consomme 4,6 Watts pour une tension d'alimentation de 1,5 volts. Rapporté au Go/s, on obtient une consommation de 62 mW par Go/s pour l'Hybrid Memory Cube contre 432 mW pour cette bonne vieille DDR3. Malheureusement si cette démonstration promet de belles choses, notamment pour les datacenters, aucune information n'est donnée quant à l'éventuelle évolution du prototype vers un produit fini et commercialisé.
Excès de vitesse ?
