Après avoir ouvert la voie à des terminaux mobiles disposant de 3 Go de mémoire vive avec la plus petite des puces au mois de novembre 2013, Samsung porte aujourd'hui la capacité maximale d'une seule puce à 4 Go.
La division semi-conducteurs de Samsung a annoncé aujourd'hui avoir achevé le développement de la première puce de mémoire vive pour terminal mobile de 4 Go. Jusqu'à présent les terminaux les plus avancés dans le domaine, tels que le Galaxy Note 3, disposaient au mieux de 3 Go.
Samsung a profité de l'occasion pour passer à la LPDDR4, la variante basse consommation (low power) de la DDR4. Cette nouvelle interface délivre des performances supérieures de 50% tout en consommant 40% de moins à tension constante (1,1 V) que la meilleure LPDDR3 ou DDR3.
Le fondeur fabrique des circuits intégrés (die) de 8 Gb (soit 1 Go) avec un procédé de fabrication de l'ordre de 20 nm (entre 20 et 30 nm), puis empile quatre de ces dies dans une seule enveloppe, ce qui donne une seule puce de 4 Go. Produites dès le début de l'année 2014, ces puces donneront lieu à des smartphones, des tablettes ou des ordinateurs portables dotés de 4 Go de mémoire vive, une quantité bienvenue compte-tenu de la hausse des définitions d'écrans.
Romain Heuillard
C'est vers l'âge de 12 ans, lorsque j'ai reçu mon premier ordinateur (un Pentium 100), que j'ai décidé d'abandonner ma prometteuse carrière de constructeur de Lego pour me consacrer pleinement à ma no...
C'est vers l'âge de 12 ans, lorsque j'ai reçu mon premier ordinateur (un Pentium 100), que j'ai décidé d'abandonner ma prometteuse carrière de constructeur de Lego pour me consacrer pleinement à ma nouvelle passion pour l'informatique.
Depuis je me suis aussi passionné pour l'imagerie en général et pour la photo en particulier, mais je reste fan de sujets aussi obscurs que les procédés de fabrication de composants électroniques ou les microarchitectures de processeurs, que l'infiniment grand et l'infiniment petit.
Je suis enfin foncièrement anti-DRM et pro-standards ouverts.
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