Le fondeur américain vient de présenter au Japon le premier prototype physique de sa Z-Angle Memory. Après le crash d'Optane, Intel parie à nouveau sur une mémoire qui n'existe pas encore pour rattraper son retard dans l'IA.
Le 3 février 2026, lors de l'événement Intel Connection Japan, le public a pu voir ce qui n'existait jusqu'alors que sur papier : un prototype fonctionnel de la Z-Angle Memory, ou ZAM. Cette démonstration marque une étape concrète pour cette technologie annoncée début février dans le cadre d'un partenariat entre Intel et Saimemory, filiale de SoftBank. Pour comprendre l'enjeu, il faut accepter une réalité brutale : Intel court après un marché de la mémoire haute performance qu'il ne contrôle plus depuis quarante ans, et cette fois, l'urgence vient de l'intelligence artificielle.
Un empilement vertical pour contourner les limites thermiques
La Z-Angle Memory empile verticalement plusieurs couches de DRAM, mais avec une différence notable par rapport à la HBM actuelle : les interconnexions ne traversent pas les puces à la verticale, elles circulent en diagonale. Intel affirme que cette topologie décalée améliore la dissipation thermique, un problème majeur quand on empile des composants électroniques. Selon les données présentées au Japon, la ZAM consommerait entre 40 et 50% d'énergie en moins que la HBM, tout en permettant d'atteindre jusqu'à 512 Go par puce.
Cette architecture repose sur la technologie Next-Generation DRAM Bonding développée par Intel dans le cadre du programme Advanced Memory Technology R&D, supervisé par le département américain de l'Énergie via le laboratoire national Sandia. Joshua Fryman, responsable technique chez Intel Government Technologies, résume la situation sans détour : « Les architectures mémoire standards ne répondent pas aux besoins de l'intelligence artificielle. Nous repensons l'organisation de la DRAM pour atteindre des gains de performance d'un ordre de grandeur ». Le calendrier officiel place les premiers prototypes fonctionnels en 2027, avec une commercialisation prévue pour 2030.
Le spectre d'Optane plane sur cette annonce
Intel promet une capacité deux à trois fois supérieure à la HBM, une consommation divisée par deux et un coût de production réduit de 60%. Ces chiffres donnent le vertige, mais ils réveillent aussi un souvenir cuisant : Intel Optane et sa technologie 3D XPoint promettaient également de redéfinir la hiérarchie mémoire. Résultat : un demi-milliard de dollars de pertes et un abandon complet.
Cette fois, le contexte diffère légèrement. Le marché de la HBM traverse une pénurie sévère, avec des prix qui ont bondi de 30% fin 2025 et des capacités de production vendues jusqu'en 2027 chez Micron et SK Hynix. Intel ne vise pas le grand public, mais les hyperscalers comme Amazon, Google et Microsoft, qui déploient des fermes entières de serveurs pour entraîner des modèles d'IA. Le problème reste identique : d'ici 2030, Samsung, SK Hynix ou Micron auront peut-être déjà saturé ce besoin avec des évolutions de la HBM classique, moins risquées et déjà éprouvées. Intel construit une solution technique élégante pour un problème qui aura peut-être disparu quand elle arrivera sur le marché.
Montrer un prototype, c'est bien. Le vendre dans quatre ans à des clients qui n'ont pas le temps d'attendre, c'est une autre histoire.
Source : WCCFTECH
