Oubliez vos SSD, la NAND Flash est techniquement morte. Texas Instruments vient de valider le ticket d’entrée d’une technologie capable d’enterrer nos standards actuels : la ReRAM. Ce n'est plus de la science-fiction, c'est industriel.
Le marché du stockage traverse une crise existentielle majeure. Vous avez sans doute suivi les secousses sismiques récentes, où la pénurie de mémoire menaçait de renvoyer nos smartphones à l'âge de pierre, forçant même les constructeurs à ressusciter l'antique DDR3 pour survivre. L’issue de secours ne viendra pas du passé. Elle porte un nom barbare : ReRAM. Et elle vient de recevoir la bénédiction d’un géant à 170 milliards de dollars.
Weebit Nano : le David qui séduit les Goliath
L'information pourrait passer inaperçue, noyée dans le flux technique, mais elle est cruciale. Texas Instruments, colosse du semi-conducteur connu pour son pragmatisme froid, vient de licencier la technologie de Weebit Nano. Cette startup ne vend pas du rêve, elle vend une solution de « Commutation Résistive » (ReRAM) qui s'affranchit des limites physiques actuelles.
La promesse technique donne le vertige. Nous parlons d'une vitesse d'écriture cent fois supérieure à celle de la mémoire Flash embarquée que vous connaissez. Là où votre stockage actuel s'use et ralentit, la ReRAM encaisse entre 100 000 et un million de cycles d'écriture sans broncher. Coby Hanoch, le PDG de Weebit, ne s'embarrasse pas de fausse modestie. Pour lui, sa technologie surclasse la Flash sur tous les axes critiques : puissance, vitesse, endurance et coût.
Le tour de force n'est pas seulement dans la performance brute. C'est l'intégration qui change la donne. La technologie s'implémente via un module « Back-end-of-line ». En français ? On peut l'ajouter sur les puces existantes sans devoir redessiner toute l'architecture complexe des transistors situés en dessous. Le surcoût de fabrication avoisinerait à peine les 5%. C'est ridiculement bas pour un saut générationnel de cette ampleur.
La fin programmée du goulot d'étranglement
Pourquoi cet engouement soudain pour une technologie qui, sur le papier, existe depuis des années ? Parce que l'industrie est au pied du mur. La mémoire Flash embarquée refuse obstinément de rétrécir. En dessous de la gravure en 28 nanomètres, elle devient instable et coûteuse à produire. C'est un cul-de-sac physique qui bride l'évolution de nos appareils.
Cette impasse explique en grande partie les tensions sur les chaînes d'approvisionnement et les conséquences désastreuses sur les marchés PC et mobile que nous observons depuis des mois. Les ingénieurs doivent aujourd'hui bricoler des solutions hybrides complexes, mariant SRAM et Flash externe, ce qui consomme de la batterie et de la place pour rien.
La ReRAM arrive comme le remède universel à ces maux d'ingénierie. Elle permet le « boot instantané » et offre une densité bien supérieure à la SRAM. Pour l'IA embarquée et les objets connectés, c'est le Graal : plus de données stockées directement sur la puce signifie des calculs plus précis et plus rapides. Contrairement à la MRAM, sa concurrente directe basée sur le magnétisme, la ReRAM ne craint pas les interférences magnétiques. C'est un détail qui a son importance si vous ne voulez pas que votre voiture autonome perde la mémoire en passant sous une ligne haute tension.
Le plus grand obstacle reste, comme souvent, l'inertie humaine. Les fabricants de puces sont conservateurs par nature. Mais avec Texas Instruments qui rejoint la liste des partenaires après SkyWater et Onsemi, le verrou psychologique vient de sauter. La « mémoire universelle » n'est plus un concept de laboratoire.
Source : Tech Radar
