Hynix : de la NAND 15 nm en 2012 ?

13 décembre 2011 à 11h25
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Ces derniers temps, le coréen Hynix était un peu à la traine en terme de développements technologiques pour la fabrication de ses puces de NAND Flash. Mais le voilà près à revenir dans la bagarre avec un tout nouveau procédé de gravure en 1x nm.

Après Intel / Micron et ses puces en 20 nm, Toshiba et ses modules en 19 nm, voici Hynix et son « Middle-1Xnm », fièrement annoncé en fin de semaine dernière à l'International Electron Devices Meeting (IEDM). Mais comme ses concurrents, le fondeur a dû faire face à certains problèmes physiques et notamment celui du phénomène d'interférences électroniques bien connu des amoureux de la physique quantique. Pour ce faire, Hynix a développé une technologie améliorant l'isolation et évitant de trop importantes fuites de courant.

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L'incertitude demeure toutefois sur la finesse exacte de la gravure utilisée par Hynix, même si beaucoup tablent sur le chiffre de 15 nm. Reste également à savoir si ce procédé sera viable quand il sera développé à grande échelle, dans la nouvelle unité de production prévue à cet effet. Les premières puces mémoire de ce type devraient, si tout se passe bien, voir le jour durant le second semestre 2012.
Modifié le 01/06/2018 à 15h36
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