Hynix : de la NAND 15 nm en 2012 ?

Ces derniers temps, le coréen Hynix était un peu à la traine en terme de développements technologiques pour la fabrication de ses puces de NAND Flash. Mais le voilà près à revenir dans la bagarre avec un tout nouveau procédé de gravure en 1x nm.

Après Intel / Micron et ses puces en 20 nm, Toshiba et ses modules en 19 nm, voici Hynix et son « Middle-1Xnm », fièrement annoncé en fin de semaine dernière à l'International Electron Devices Meeting (IEDM). Mais comme ses concurrents, le fondeur a dû faire face à certains problèmes physiques et notamment celui du phénomène d'interférences électroniques bien connu des amoureux de la physique quantique. Pour ce faire, Hynix a développé une technologie améliorant l'isolation et évitant de trop importantes fuites de courant.


L'incertitude demeure toutefois sur la finesse exacte de la gravure utilisée par Hynix, même si beaucoup tablent sur le chiffre de 15 nm. Reste également à savoir si ce procédé sera viable quand il sera développé à grande échelle, dans la nouvelle unité de production prévue à cet effet. Les premières puces mémoire de ce type devraient, si tout se passe bien, voir le jour durant le second semestre 2012.