Samsung démarrera finalement cet été la commercialisation de mémoire vive DDR3 adoptant un procédé de fabrication de l'ordre de 30 nm (30nm-class), un peu plus de deux ans après la production de premiers échantillons.
Mémoire Samsung d'ancienne génération
Dans le domaine du semi-conducteur en général, la diminution de l'épaisseur de gravure entraine avec elle une diminution de la consommation électrique, une diminution de la dissipation thermique, permettant une augmentation de la fréquence, et même une diminution du cout de fabrication. Ce qui est vrai pour un processeur l'est naturellement pour une puce de mémoire.
Cette mémoire vive en trentaine de nanomètres (fabrication comprise entre 30 et 39 nm) revendique donc pour commencer une consommation réduite de deux tiers par rapport à celle en soixantaine de nanomètres, encore largement répandue.
Le taux de transfert nominal est quant à lui en hausse de 20 % par rapport à la précédente génération de mémoire Samsung en quarantaine de nanomètres, passant de 1333 à 1600 Mbps. La diminution de la dissipation thermique améliore en outre le potentiel d'overclocking et elle devrait facilement être poussée à 1866 Mbps.
Samsung décline sa mémoire vive DDR3 en trentaine de nanomètres en module de 2 ou 4 Go, au format VLP (very low profile) DIMM pour ordinateur de bureau ou au format SODIMM pour ordinateur portable. Ces barrettes seront commercialisées à partir de respectivement 30 et 55 dollars aux États-Unis, à partir du mois de juillet.
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