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Samsung commence la production sa DDR5 la plus avancée : en 14 nm ultraviolet extrême

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
13 octobre 2021 à 11h15
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Samsung DDR5 © © Samsung
© Samsung

La mémoire DDR5 arrive, mais le chemin est encore long pour aboutir aux spécifications que les fabricants nous font miroiter.

Alors qu'Alder Lake pointe le bout de son nez, la mémoire vive DDR5 fera son entrée dans notre joyeux petit monde. Si l'on en croit les spécialistes, elle devrait rapidement prendre son essor et Samsung entend bien être le leader sur ce segment.

Une place de leader à conserver

Le Sud-Coréen précise ainsi qu'il vient d'entrer dans la production de masse de mémoires DDR5 gravées 14 nm via sa technologie dite EUV pour extreme ultraviolet. Une annonce qui intervient quelques mois après la production de la première DRAM en EUV. Samsung n'y va pas avec le dos de la cuillère pour saluer sa performance et, par la voie de Jooyoung Lee son vice-président DRAM produits et technologie, elle précise :

« Nous sommes leader sur le marché de la DRAM depuis près de trois décennies en concevant des innovations technologiques clés. Aujourd'hui, Samsung franchit une nouvelle étape avec l'EUV multicouches qui permet une miniaturisation extrême à 14 nm, un exploit impossible avec le procédé conventionnel au fluorure d'argon (ArF). Sur la base de cette avancée, nous continuerons à fournir les solutions les plus différenciées en répondant au besoin de performances et de capacités accrues dans un monde de 5G et d'IA mené par les données ».

Samsung DDR5 © Samsung
© Samsung

Des spécifications amenées à évoluer

Au travers de son communiqué de presse, Samsung souhaite affoler les compteurs. En effet, l'entreprise n'hésite pas à évoquer des barrettes d'une capacité de 512 Go capables d'un débit de 7,2 Gbps, plus du double de sa DDR4. Il est aussi question d'une tension de 1,1 V.

Reste que la DDR5 ne proposera pas de telles caractéristiques à son lancement, même chez Samsung. Dans un premier temps, le Sud-Coréen devrait effectivement se contenter de DDR5 4800 pour une bande passante déjà intéressante. Il est aussi question de devoir faire avec une latence sensiblement plus importante que sur la DDR4 (CL40).

Enfin, côté capacités, Samsung est encore loin du compte : le fabricant évoque la production de DDR5 sur cinq couches pour le moment. Cela lui permet d'aboutir à des puces de 3 Go, mais il faudrait qu'il passe sur du huit couches s'il veut atteindre les 16 Go par puce nécessaires pour produire les barrettes de 512 Go tant vantées.

Source : TechPowerUp

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SPH
Vivement qu’on vois ça !
Popoulo
«&nbsp;Samsung had shipped EUV DRAM in March 2020. Now it has increased the number of EUV layers to five to deliver the most advanced DRAM process for its DDR5 solutions.&nbsp;» : un peu plus que «&nbsp;quelques mois&nbsp;» <br /> «&nbsp;n’y va pas avec le dos de la cuillère&nbsp;» / «&nbsp;Samsung souhaite affoler les compteurs&nbsp;» / «&nbsp;n’hésite pas à évoquer&nbsp;» : Bizarre le ton de l’article. Ca manque de pommes pour que ce soit la «&nbsp;révolution&nbsp;» il semblerait.
dFxed
Pourquoi est il question d’une latence plus importante ?
Blackalf
Parce que ça a toujours été comme ça, les latences augmentent à chaque génération. ^^
Bak1320
Je comprends rien, sais quoi DDR5 svp?
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