Samsung Electronics, la division semi-conducteurs du groupe coréen, a officialisé aujourd'hui son procédé de fabrication 10 nm class.
Samsung a effectivement démarré la production de puces de mémoire flash NAND en dizaine de nanomètre (10 à 19 nm) à la fin du mois dernier, un peu plus d'un an après s'être mis au 20 nm class. Le coréen rejoint ainsi la joint-venture entre Toshiba et SanDisk, qui précisent quant à elle qu'elle fabrique en 19 nm.
Le fabricant produit dans un premier temps des puces « eMMC Pro Class 2000 » de 64 Go, 20 % plus petites et 30 % plus performantes que les eMMC Pro Class 1500 équivalentes, lancées en mai, cinq mois plus tôt seulement. La productivité est quant à elle améliorée de 30 %, ce qui réduit les coûts de fabrication, et donc à terme les prix de vente.
Les nouvelles puces mesurent 13 x 11,5 mm (contre 16 x 12 mm) et revendiquent des taux de transfert de 260 et 50 Mo/s en lecture et écriture séquentielle, et 5000 et 2000 IOPS en lecture et écriture aléatoire.
Ce type de puce sert au stockage interne d'appareils mobiles tels que des smartphones et des tablettes.
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