Elpida Memory annonce avoir finalisé le développement de ses puces mémoire DDR3 qui devraient être produites dès l'an prochain. Pour atteindre des fréquences élevées tout en conservant une consommation électrique relativement basse, Elpida a du utilisé des transistors de type « dual gate » afin de contrer les problèmes de fuite d'électrons.
Le but avec le développement de la DDR3 était pour Elpida de maintenir les avantages de la DDR2 comme la basse consommation électrique tout en améliorant significativement la vitesse. L'utilisation de transistors dual gate, une première dans le monde de la mémoire, devrait permettre d'atteindre de nouveaux niveaux de performances. Les puces 512 Mb de DDR3 signées Elpida seront fabriquées en 90nm et fonctionneront à 1333 MHz avec une tension de 1,5 volts. Aujourd'hui la DDR2 est alimentée en 1,8 volts alors qu'il faut 2,6 volts pour la mémoire DDR conventionnelle. La commercialisation des puces 64 Mo DDR3 d'Elpida interviendra fin 2005 et Elpida devrait se pencher sur le développement de puces à plus forte densité. Samsung et Infineon devraient également démarrer les livraisons de DDR3 en 2006.
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