Samsung et TSMC prennent du retard sur la production de SoC gravés en 3 nm

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
04 septembre 2021 à 17h37
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Si le retard de TSMC n'est pas une réelle nouvelle, celui de Samsung était encore à confirmer.

Il y a déjà quelques jours, une information avait circulé à propos de retards pris par TSMC dans le développement de son processus de gravure 3 nm avec, en conséquence directe, la possible utilisation du node 4 nm pour l'iPhone 14 et son SoC A16 Bionic.

Aujourd'hui, c'est l'un des concurrents directs du Taïwanais qui est dans la tourmente. Samsung semble lui aussi rencontrer des difficultés dans l'évolution de son processus de gravure, des techniques engloutissant des sommes considérables et réservées à une poignées d'entreprises.

Un retard de plus de douze mois

Samsung avait dans l'idée de remplacer ses transistors FinFET par la technique GAAFET sur laquelle il travaille depuis de nombreuses années et qui doit lui permettre d'atteindre une finesse de gravure de 3 nm à l'horizon 2022. Problème, cet horizon vient de nettement reculer et la production de masse ne serait plus prévue avant 2024.

Samsung 3 nm GAAFET © Samsung
© Samsung

Une information qui s'appuie sur les propos de Chidi Chidambaram, le vice-président de Qualcomm, l'un des principaux clients de Samsung. Pour Qualcomm, le Sud-coréen fabrique les Snapdragon, en particulier l'actuel fer-de-lance de la gamme, le Snapdragon 888 . Samsung doit lancer la production du Snapdragon 898 qui pourrait apporter jusqu'à 20 % de performances en plus, mais se contentera donc du 4 nm de Samsung.

Source : PhoneArena

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