TSMC détaille les caractéristiques de son futur nœud 3 nm

Nathan Le Gohlisse
Spécialiste Hardware
25 août 2020 à 14h30
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TSMC

Ce lundi, TSMC tenait son Technology Symposium, un événement annuel organisé cette fois en ligne, mais qui aura permis au fondeur taïwanais de dévoiler plus en détail ses prochains protocoles de gravure… dont le node en 3 nm, attendu aux environs de 2022.

C'est un plan de route touffu que nous a présenté TSMC hier. Si le fondeur capitalise d'ores et déjà sur sa gravure en 5 nm, qui équipera notamment les iPhone 12 dès cet automne, ce sont ses plans pour l'avenir qu'il a dévoilés à l'occasion d'un événement virtuel. Un bon moyen d'en découvrir plus sur le premier affinage du procédé en 5 nm, attendu dès 2021, mais aussi sur le node 3 nm, ainsi que sur un mystérieux protocole en 4 nm, dérivé technologiquement du 5 nm, qui occupera la fin d'année 2021.

Efficacité énergétique améliorée… ou performances en hausse

Avec son procédé en 5 nm (N5, en interne), TSMC est déjà rodé puisque la production de masse a commencé il y a quelques mois maintenant. Par rapport au 7 nm, ce nouveau procédé permet 30% d'efficacité énergétique en plus et 15% de performances supplémentaires à consommation égale. Des chiffres que TSMC s'apprête à revoir à la hausse de 10% et 5% respectivement grâce au premier affinage de son procédé en 5 nm, toujours basé sur la gravure par EUV (lithographie extrême ultraviolet).

Attendu en cours d'année prochaine, ce node N5P sera complété sur le quatrième trimestre 2021 par une autre variante de la gravure en 5 nm EUV : le N4. Si TSMC s'est assez peu livré sur cet autre procédé, il s'agirait d'après TechPowerUp d'une gravure en 4 nm exploitant probablement peu ou prou la même technologie que le N5P. Son apparition en grands volumes n'interviendrait toutefois qu'en début d'année 2022.

Le 3 nm se montre un peu plus chez TSMC

Évoqué pour la première fois l'année dernière, le procédé de gravure en 3 nm s'est un peu plus dévoilé cette année. Il sera pour sa part basé sur des transistors FinFET améliorés grâce à des « fonctions innovantes » dont TSMC se garde bien de trop parler pour l'instant. Attendu en fin d'année 2022, le 3 nm permettra lui aussi de booster les performances à consommation identique au 5 nm (un gain de 10 à 15% est alors mentionné)… ou alors d'améliorer de 25 à 30% l'efficience énergétique, toujours par rapport au node N5 de TSMC.

TSMC prévoit d'entrer en production préliminaire dès 2021 pour son node 3 nm, tandis que la production de masse interviendra quelque part sur le second semestre 2022. Samsung Foundry a aussi un procédé en 3 nm dans sa besace pour la même période, mais le fondeur coréen pourrait être en retard.

La production en masse de puces basées sur son actuel procédé 5 nm est en effet à la traîne, à tel point que les récents Galaxy Note 20 sont toujours équipés de puces Exynos gravées en 7 nm, et que Qualcomm (qui devait compter parmi les premiers à profiter de la gravure en 5 nm de Samsung) serait en train de mettre les voiles vers TSMC.

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Metaphore54
Intel n’a même le le 7nm alors qu’on parle du 3 nm, intel est en train de perdre, la stratégie de posséder ses propres usines montre ses limites au niveau technique.
Vanilla
Bon ok, après le 5nm on aura donc le 3nm.<br /> Après le 3nm je pense qu’on aura donc droit au 2nm puis au 1nm… et après on aura quoi !!!<br /> Parce que je pense pas vraiment que le angström soit vraiment du domaine du possible… ils vont pas faire des transistors plus petit qu’un atome non plus !! A un moment donné il va falloir se résoudre à multiplier la surface des CPU plutôt que de diminuer la finesse de gravure, c’est pire que mathématique, c’est physique!!
Peter_Vilmen
Il reste toujours des options qui ne nécessite ni de réduire la taille des transistors, ni de la place supplémentaire, on pourrait par exemple superposer trois transistors, un fait de matière, un d’anti-matière, et un autre de matière noir, on multiplierait la puissance des processeurs par 3 en un clin d’oeil. On pourrait aussi fabriquer des transistors en helium qui prend 4 fois moins de place que le silicone. Vous l’aurez compris, je travaille chez Intel.
dFxed
Attention, le 10nm de Intel est plus dense que le 7nm de TSMC.<br /> Les valeurs ne sont pas représentatives d’une mesure physique précise mais plus un nom marketing.<br /> Semiwiki<br /> SEMICON West Intel 10nm and GF 7nm Update - Semiwiki<br /> SEMICON West seemed a little slow last week but maybe it was just me. I’m sure SEMI will come out with record breaking numbers but I did not see it in the exhibit hall (see the video). What I did see was hundreds of exhibitors but I had no idea what...<br />
ypapanoel
Alcatel a appliqué la stratégie inverse. On a vu le résultat…<br /> Je ne suis pas sûr qu’il y ait une solution gagnante ou perdante «&nbsp;à tout les coups&nbsp;» : tout dépend surtout de la façon de mener la barque et de s’appuyer sur les bonnes personnes, les bonnes technologies, et avoir les bons débouchés.<br /> Normalement la force d’une stratégie «&nbsp;tout intégré&nbsp;» comme celle d’Intel n’est pas d’avoir la dernière tech de pointe sur par exemple la gravure, mais d’avoir un ensemble cohérent qui marche bien, trés optimisé.<br /> en tant que consommateur on doit être ravis du retour en force d’AMD, mais attention à Intel : coulé 1 ou 2 ans ils sont capable de refaire un gros come-back !
PtiFranc
plus ils réussiront a gravé petit, mieux ce sera!
PtiFranc
alors pourquoi AMD fait mieux qu’Intel avec sa gravure en 7nm par TSMC ?
dFxed
Parce que les puces HEDT de Intel (auquelles je pense que tu fais référence) ne sont pas gravées en 10nm mais en 14nm de chez intel.<br /> Et en aucun cas je dis que Intel fait mieux, j’essaie simplement d’éviter que nous tombions tous dans le piège de croire que Xnm correspond a une finesse de gravure réelle. Piège dans lequel je suis tombé.
Metaphore54
Merci, c’est que la taille en nm est trompeur.
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