IBM et Samsung ont conçu des transistors verticaux, pour des puces plus efficaces

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
16 décembre 2021 à 11h09
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Transistors « verticaux » © IBM / Samsung
© IBM

L'Américain et le Sud-coréen travaillent main dans la main à un nouveau type de transistor qui réduirait de 85 % la consommation énergétique.

Il y a seulement quelques jours, Intel évoquaient ses travaux en matière de transistors avec, notamment, l'adoption des transistors GAA FET (gate-all-around). Chez IBM et Samsung, on envisage déjà l'après GAA avec ce que les deux partenaires ont baptisé le Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).

Organisation verticale des transistors

La technologie des deux partenaires a été élaborée au sein du complexe nanotechnologique d'Albany dans l'État de New York. Les chercheurs ont ainsi repensé la structure même du transistor.

Si Intel parle beaucoup des GAA FET pour faire évoluer les FinFET, il est utile de rappeler que le courant y passe toujours seulement de manière latérale, à l'horizontale, avec une organisation sur deux dimensions.

IBM et Samsung ont eu l'idée d'une nouvelle architecture « verticale » des transistors avec un flux de courant lui aussi « vertical », ascendant ou descendant. Hélas, les deux partenaires n'ont pas été très bavards et il faudra sans doute patienter un peu pour davantage d'explications.

85 % d'économie d'énergie

En revanche, IBM et Samsung se sont montrés plus diserts pour évoquer les avantages procurés par une telle avancée technique. En premier lieu, il est question de « repousser les barrières » afin que les concepteurs de puces soient à même de suivre les Lois de Moore.

Le VTFET offrirait ainsi la possibilité d'augmenter considérablement le nombre de transistors dans un espace donné et influencerait aussi les points de contact des transistors « permettant un flux de courant plus important avec moins d'énergie gaspillée ».

Transistors « verticaux » © IBM
© IBM

L'un dans l'autre, IBM et Samsung envisagent deux types de gains, au choix des industriels. Il serait ainsi question de permettre un doublement des performances ou une réduction de 85 % de la consommation d'énergie par rapport au procédé FinFET.

Une semaine d'autonomie pour un smartphone

Notons que la comparaison est faite avec l'existant – le FinFET – et non avec le GAA FET qui devrait permettre déjà quelques gains. Sans doute la « révolution » VTFET sera un peu moins impressionnante que les 85 % annoncés par IBM.

Reste que l'Américain est très confiant et avance de multiples applications pour une technique qui permettra « aux batteries de téléphones portables de tenir plus d'une semaine sans être rechargées ». IBM évoque aussi les processus énergivores comme le crypto-minage ou le cryptage des données qui « pourraient nécessiter beaucoup moins d'énergie et avoir une empreinte carbone plus faible ».

Il y a peu, IBM avait présenté son procédé de gravure 2 nm qui autorisera « la conception de puces de la taille d'un ongle dotées de 50 milliards de transistors ». L'Américain souligne que le VTFET « nous projette dans une toute nouvelle dimension ». On ne demande qu'à le croire.

Source : TechPowerUp, IBM

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_Troll
Je doute un peu qu un smartphone puisse rester une semaine car il y a l ecran et les echanges radio qui consomment beaucoup.
sylvio50
Bof, ce qu’il faut, c’est pouvoir graver les transistor sur N couches sur la 3ème dimensions.<br /> Avec par exemple 256 couches pour commencer, on serait à beaucoup plus de 85% de conso en moins.
caprikorn
Dit leur ! envoi un mail à IBM et Samsung rooo protège ton idée avant
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