Samsung reporte son ambitieux projet de nœuds 3 nm GAAFET à 2024

Nathan Le Gohlisse
Spécialiste Hardware
30 juin 2021 à 17h46
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Samsung Logo © © Kote Puerto / Unsplash
© Kote Puerto / Unsplash

Une année supplémentaire. C'est le délai dont Samsung aurait finalement besoin avant de livrer ses propres transistors GAAFET (Gate All Around FET) et le node 3 nm qui en tirera profit.

Attendu en 2023, la procédé de gravure en 3 nm de Samsung et ses transistors exploitant le nouveau dispositif multigate GAAFET n'arriveraient finalement pas avant 2024 chez le géant coréen. C'est ce que l'on apprend chez TechPowerUp, qui rapporte que Samsung aurait pris du retard dans la mise au point de ce nouveau node, surnommé 3GAE au sein du groupe. Une mauvaise nouvelle pour la compétitivité de Samsung face à TSMC.

Samsung GAAFET © © Samsung
© Samsung

TSMC restera en avance

De son côté, TSMC, leader du marché, est à l'heure. Son procédé de gravure en 3 nm est attendu dès l'année prochaine, tandis que sa gravure en 2 nm est pressentie quelque part en 2024. En d'autres termes, si le report du 3 nm chez Samsung se confirme, la firme cumulerait environ deux ans de retard sur TSMC d'un point de vue technologique.

Et c'est bien dommage, car en dehors de Samsung, aucun acteur du marché n'a pour l'instant les moyens de concurrencer TSMC sur la finesse de gravure. GlobalFoundries se concentre depuis quelques années sur des procédés moins avancés, Intel devrait entamer la production de puces en 7 nm d'ici 2023 et le Chinois SMIC reste pour l'instant concentré sur son node 7 nm, sur lequel il cherche à capitaliser.

Source : TechPowerUp

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