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Samsung : vers des SoC gravés en 2 nm d'ici 4 ans

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
09 octobre 2021 à 09h52
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Wafer

Le Sud-coréen est depuis quelques mois le premier fondeur au monde devant Intel et TSMC.

Les trois géants du semi-conducteur sont aussi de manière assez logique les plus avancés dans les nouveaux processus de gravure, la course vers l'infiniment petit. Une course qui pousse les acteurs à revoir les modèles de transistors employés.

Du 2 nm dès 2025 ?

Ainsi, Samsung a précisé que, pour avancer, elle se tourne depuis 2019 vers des transistors GAA – ou gate-all-around – qui remplacent les FinFET – ou fin-shaped field-effect. À mesure que la finesse de gravure se fait plus petite, ces derniers perdent leur avantage côté performances.

Une évolution marquée – chez Samsung – dès qu'il fallu avancer sur la transition du 5 nm vers le 3 nm. C'est d'autant plus vrai pour le 2 nm évoqué aujourd'hui par Samsung. Comme sur le 3 nm, les GAA utilisés par le Sud-coréen sont dits MBCFET pour Multi-Bridge-Channel FET.

Les transistors MBCFET seront utilisés sur le procédé 2 nm que Samsung évoque aujourd'hui. La société précise que cette technologie « en est à ses premiers stades de développement avec une entrée en production de masse prévue pour 2025 ».

Le 3 nm prend un peu de retard

Une annonce qui semble toutefois en partie faite pour masquer le retard pris sur le procédé 3 nm. Samsung avait autrefois annoncé que ce 3 nm serait disponible au cours du second semestre 2021. Un engagement que le Sud-coréen ne peut donc pas tenir : il s'agit maintenant de proposer les premiers produits au cours du premier semestre 2022.

Samsung précise également qu'une version améliorée de ce 3 nm sera disponible courant 2023 tout en signalant les qualités de la première version. Grâce à ses transistors MBCFET, elle permettra « jusqu'à 35 % d'économie en taille, 30 % de hausse de performances et 50 % de baisse côté consommation par rapport au 5 nm ».

Il est d'ailleurs bon de noter que, sur ce point, Samsung tente de se démarquer du concurrent TSMC. Ce dernier a effectivement déjà évoqué son procédé de gravure 3 nm, lequel restera sur des transistors FinFET. Il conviendra évidemment de mesurer le réel avantage de Samsung quand les premiers produits nous parviendront.

Source : The Register

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SPH
« jusqu’à 35 % d’économie en taille, 30 % de hausse de performances et 50 % de baisse côté consommation par rapport au 5 nm »<br /> Vivement
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