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Samsung : vers des SoC gravés en 2 nm d'ici 4 ans

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
09 octobre 2021 à 09h52
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Wafer

Le Sud-coréen est depuis quelques mois le premier fondeur au monde devant Intel et TSMC.

Les trois géants du semi-conducteur sont aussi de manière assez logique les plus avancés dans les nouveaux processus de gravure, la course vers l'infiniment petit. Une course qui pousse les acteurs à revoir les modèles de transistors employés.

Du 2 nm dès 2025 ?

Ainsi, Samsung a précisé que, pour avancer, elle se tourne depuis 2019 vers des transistors GAA – ou gate-all-around – qui remplacent les FinFET – ou fin-shaped field-effect. À mesure que la finesse de gravure se fait plus petite, ces derniers perdent leur avantage côté performances.

Une évolution marquée – chez Samsung – dès qu'il fallu avancer sur la transition du 5 nm vers le 3 nm. C'est d'autant plus vrai pour le 2 nm évoqué aujourd'hui par Samsung. Comme sur le 3 nm, les GAA utilisés par le Sud-coréen sont dits MBCFET pour Multi-Bridge-Channel FET.

Les transistors MBCFET seront utilisés sur le procédé 2 nm que Samsung évoque aujourd'hui. La société précise que cette technologie « en est à ses premiers stades de développement avec une entrée en production de masse prévue pour 2025 ».

Le 3 nm prend un peu de retard

Une annonce qui semble toutefois en partie faite pour masquer le retard pris sur le procédé 3 nm. Samsung avait autrefois annoncé que ce 3 nm serait disponible au cours du second semestre 2021. Un engagement que le Sud-coréen ne peut donc pas tenir : il s'agit maintenant de proposer les premiers produits au cours du premier semestre 2022.

Samsung précise également qu'une version améliorée de ce 3 nm sera disponible courant 2023 tout en signalant les qualités de la première version. Grâce à ses transistors MBCFET, elle permettra « jusqu'à 35 % d'économie en taille, 30 % de hausse de performances et 50 % de baisse côté consommation par rapport au 5 nm ».

Il est d'ailleurs bon de noter que, sur ce point, Samsung tente de se démarquer du concurrent TSMC. Ce dernier a effectivement déjà évoqué son procédé de gravure 3 nm, lequel restera sur des transistors FinFET. Il conviendra évidemment de mesurer le réel avantage de Samsung quand les premiers produits nous parviendront.

Source : The Register

Nerces

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Tombé dans le jeu vidéo à une époque où il fallait une belle imagination pour voir ici un match de foot, là un combat de tanks dans ces quelques barres représentées à l'écran, j'ai suivi toutes les évolutions depuis quarante ans. Fidèle du PC, mais adepte de tous les genres, je n'ai du mal qu'avec les JRPG. Sinon, de la stratégie tour par tour la plus aride au FPS le plus spectaculaire en passant par les simulations sportives ou les jeux musicaux, je me fais à tout... avec une préférence pour la gestion et les jeux combinant plusieurs styles. Mon panthéon du jeu vidéo se composerait de trois séries : Elite, Civilization et Max Payne.

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Commentaires (1)

SPH
« jusqu’à 35 % d’économie en taille, 30 % de hausse de performances et 50 % de baisse côté consommation par rapport au 5 nm »<br /> Vivement
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