Samsung : plein de chips 1 Gbit en 90 nanomètres

Samsung qui veut accélérer le développement de la mémoire DDR2 mise gros sur ses nouveaux chips de mémoire 1 Gb gravés en 90 nanomètres. Le numéro 1 de la mémoire précise que les chips 1 Gb seront les modules de mémoire les plus utilisés, pendant les deux années à venir.

Ces nouveaux chips offrent donc une capacité de 1 Gb (128 Mo) et ils disposent d'un dégagement thermique réduit. Samsung propose déjà des chips DDR400 1 Gb. La firme prévoit d'augmenter sa production globale de chip 1 Gb 90 nanomètres à 1 million d'unités par mois pendant le quatrième trimestre 2005. Après les ventes de fin d'année, si la demande n'est pas trop forte, cette augmentation pourrait faire chuter les prix des barrettes de 1 Go et de 2 Go.