© SK Hynix
Annoncée en aout durant le Flash Memory Summit qui a eu lieu en Californie, la NAND 4D est désormais parée pour être produite à grande échelle. La dénomination « Flash NAND 4D » a été choisie afin de bien distinguer ce nouveau produit des technologies de NAND 3D actuelles, bien qu'il s'agisse finalement de la 5e génération de NAND 3D de SK Hynix.
Gain de performances et encombrement réduit
Mise au point grâce à la technique PUC (Periphery Under Cell), cette nouvelle puce NAND de 512 gigabits utilise des couches CTF (Charge Trap Flash) positionnées verticalement. La combinaison de ces technologies permet, selon le communiqué de presse de SK Hynix, de réduire l'encombrement de 30 % ainsi que d'améliorer le rendement des wafers de 49 % par rapport à ses puces précédentes de NAND 3D de 512 gigabits sur 72 couches.Le fabricant sud-coréen a justement choisi la dénomination de Flash NAND 4D pour marquer la différence avec les puces NAND 3D qui étaient produites jusque-là. En effet, selon SK Hynix les débits de cette nouvelle mémoire pourront atteindre 1 200 Mb/s sur une charge de 1.2 V et offrir un gain de performance en lecture à hauteur de 25 %, contre 30 % en écriture.
