Samsung utilise une nouvelle architecture mémoire pour son SSD de 512 Go

17 juin 2010 à 15h14
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Samsung a aujourd'hui annoncé un nouveau SSD, le premier au monde à utiliser la nouvelle architecture mémoire « toggle-mode DDR NAND ». Combinée à un nouveau procédé de fabrication des puces, cette nouveauté a permis la conception d'un SSD de 512 Go aux performances élevées et à la consommation électrique identique à celle d'un modèle d'une capacité deux fois moindre.

La nouvelle architecture promet un bond de performance de 50% en écriture et 125% en lecture, notamment en employant un nouveau type d'interface DDR (Double Data Rate). Le nouveau SSD délivre ainsi un taux de transfert séquentiel de 250 Mo par seconde en lecture et de 220 Mo par seconde en écriture. Il se contente donc d'une interface Serial ATA à 3 Gbps, qu'il ne parvient pas encore à saturer.

Les puces NAND de 32 Gbit chacune passent quant à elles de 40 nm sur le précédent modèle à seulement 30 nm sur le nouveau. Le contrôleur prend en charge la fonction TRIM, qui permet à Windows 7 d'effacer les cellules à mesure qu'elles sont libérées pour accélérer leur écriture ultérieure. Il offre enfin le chiffrement AES matériel sur 256 bits.

Samsung n'a communiqué aucun prix ni aucune date de lancement pour son nouveau SSD de 512 Go, tout juste sait-on qu'il prévoit d'en démarrer la production de masse le mois prochain.

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Romain Heuillard

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C'est vers l'âge de 12 ans, lorsque j'ai reçu mon premier ordinateur (un Pentium 100), que j'ai décidé d'abandonner ma prometteuse carrière de constructeur de Lego pour me consacrer pleinement à ma nouvelle passion pour l'informatique. Depuis je me suis aussi passionné pour l'imagerie en général et pour la photo en particulier, mais je reste fan de sujets aussi obscurs que les procédés de fabrication de composants électroniques ou les microarchitectures de processeurs, que l'infiniment grand et l'infiniment petit. Je suis enfin foncièrement anti-DRM et pro-standards ouverts.

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