Pour l'instant, Samsung a validé le modèle d'une puce de 1 Gb, et placé ce dernier sur une barrette de SO-DIMM (mémoire à destination des ordinateurs portables), d'une capacité totale de 1 Go (soit 8 modules en ligne, sur une seule face). Cette barrette aurait d'ores et déjà été validée par Intel pour une utilisation sur les chipsets de la série GM45. Samsung vise maintenant la transposition de ce nouveau procédé de fabrication vers la DDR3, et affirme être en mesure de lancer la production de modules de 2 Gb avant la fin de l'année 2009.
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