Samsung serait plus efficace que TSMC sur la gravure en 3 nm... Enfin, c'est elle qui le dit !

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
18 juillet 2023 à 10h40
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© Intel
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Intel, Samsung, TSMC : tel est le trio de tête pour ce qui touche la gravure de semi-conducteurs. Mais dans quel ordre exactement ?

Chez Samsung, on semble prendre avec sérieux le fait que la taille n'a pas d'importance et que c'est la maîtrise qui fait tout.

Samsung en embuscade dans le duel Intel/TSMC

En retard depuis ses déboires sur le processus de gravure en 10 nm, Intel se montre aussi très ambitieuse. Fin juin, Pat Gelsinger, le P.-D.G. du groupe, se montrait confiant dans le retour aux affaires de la société.

© Kukmin Ilbo / harukaze5719 sur Twitter
© Kukmin Ilbo / harukaze5719 sur Twitter

Il avait même un double objectif très clair dans le viseur : redevenir le numéro deux dans l'univers très fermé de la gravure haute performance (devant Samsung, mais derrière TSMC) et doubler l'entreprise taïwanaise afin de reprendre le leadership technique à l'horizon 2025.

Dans ces « prédictions », Intel tient certes compte des travaux de TSMC, mais semble faire bien peu de cas des progrès de Samsung.

Meilleur rendement sur le 3 nm

La société sud-coréenne est pourtant loin de se tourner les pouces, et elle avance elle aussi à la fois sur la validation du processus de gravure en 2 nm, mais aussi sur l'optimisation du processus en 3 nm.

© Samsung
© Samsung

C'est d'ailleurs sur ce second point que des nouvelles nous sont parvenues grâce à nos confrères de TechPowerUp. Des nouvelles en deux parties avec, d'abord, des précisions concernant l'efficacité de la gravure en 4 nm chez TSMC et chez Samsung. Le premier a effectivement un léger avantage avec 80 % de rendement, quand Samsung doit se contenter de 75 %.

Le 4 nm est le dernier procédé à exploiter la technologie FinFET. Avec le 3 nm, on parle d'amorcer le cycle du GAAFET, une technologie sur laquelle Samsung fonde de grands espoirs. Elle aurait d'ailleurs dans ce domaine des rendements un peu supérieurs à ceux de TSMC : 60 %, contre 55 %. Un meilleur rendement permet logiquement d'aboutir à plus de puces opérationnelles sur chaque wafer et, ce faisant, de faire baisser les coûts.

Bien sûr, ces informations sont avancées par Samsung, et il faudrait voir si, en interne, on dit la même chose chez Intel ou TSMC.

Source : TechPowerUp

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Tombé dans le jeu vidéo à une époque où il fallait une belle imagination pour voir ici un match de foot, là un combat de tanks dans ces quelques barres représentées à l'écran, j'ai suivi toutes les évolutions depuis quarante ans. Fidèle du PC, mais adepte de tous les genres, je n'ai du mal qu'avec les JRPG. Sinon, de la stratégie tour par tour la plus aride au FPS le plus spectaculaire en passant par les simulations sportives ou les jeux musicaux, je me fais à tout... avec une préférence pour la gestion et les jeux combinant plusieurs styles. Mon panthéon du jeu vidéo se composerait de trois séries : Elite, Civilization et Max Payne.

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Commentaires (3)

sylvio50
J’ai lu la news hier TSMC reportedly lags behind Samsung Foundry in 3 nm yields - NotebookCheck.net News (ils cite un média coréen en source : KMIB ‘삼성 60%, TSMC 55%’ 3나노 수율 역전… 삼성 파운드리 ‘탈환’ 시동-국민일보).<br /> Mais est-ce que le 3 nm des uns est équivalent à celui des autres ? Pas sûr (en tout cas, c’est sûr que non chez Intel).
ben100g
un peu comme Orange qui dit être le meilleur en cybersec ^^ ou comme AAPL qui pense vendre les meilleurs tél portables ^^ ce genre de gros mensonges n’engagent que les crêtins qui y croient
norwy
En tout cette course effrénée sur les semi-conducteurs est de bonne augure pour la stabilité du secteur et surtout les performances à venir !
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