Comment Samsung compte révolutionner l'IA grâce au in-memory computing

Nathan Le Gohlisse
Spécialiste Hardware
18 janvier 2022 à 16h20
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Samsung Logo © © Samsung
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La MRAM. Ça ne vous dit rien ? Il s'agit de l'acronyme de Magnetoresistive Random Access Memory, un type de mémoire sur lequel Samsung vient de faire une percée et qui pourrait donner un nouvel élan à l'IA.

Dans un communiqué partagé en fin de semaine dernière, Samsung annonce une belle avancée sur l'exploitation de la mémoire MRAM. Difficile à utiliser efficacement du fait de sa gourmandise énergétique plus marquée, cette technologie de mémoire vive pourrait s'avérer très utile pour le développement de futures puces consacrées à l'IA. Les retombées technologiques de cette percée pourraient être importantes à moyen terme, tant pour Samsung que pour l'industrie.

De la mémoire pour imiter le fonctionnement du cerveau

« Le calcul en mémoire présente des similitudes avec le cerveau dans la mesure où, dans le cerveau, le calcul s'effectue également au sein du réseau de mémoire biologique, ou synapses, c'est-à-dire les points où les neurones se touchent », commente le Dr. Seungchul Jung, chercheur au sein du Samsung Advanced Institute of Technology.

« En fait, bien que le calcul effectué par notre réseau MRAM ait pour l'instant un objectif différent de celui du cerveau, ce réseau de mémoire à l'état solide pourrait à l'avenir être utilisé comme plateforme pour imiter le cerveau en modélisant la connectivité des synapses du cerveau », ajoute-t-il.

Notons que les recherches de Samsung sur la mémoire MRAM et son exploitation ont fait l'objet d'une publication dans la revue scientifique Nature. L'article est disponible à cette adresse .

Des résultats très satisfaisants en calcul d'IA

Comme le résume le site Neowin, Samsung a développé une puce MRAM qui remplace l'architecture de calcul en mémoire « à somme courante » par une nouvelle architecture « à somme résistante ». Pour le calcul fait par une IA, cette méthode offre d'ores et déjà de très bons résultats. On apprend notamment que la puce de Samsung a été en mesure d'identifier des chiffres écrits à la main avec une précision de 98 %, contre 93 % de précision pour la reconnaissance de visages dans différentes scènes et contextes.

Samsung cherche maintenant à capitaliser sur ce bon départ en tâchant d'augmenter la résistance de la MRAM. L'idée est d'en tirer des bénéfices en matière de vitesse d'opération, de durabilité et de facilité de production à grande échelle.

Source : Neowin

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Kratof_Muller
Les IA vont donc se passer de registres pour savoir où est stocké quoi ?
_Troll
C est mieux que la DDR5?
Waldel_Martell
La technologie avance et les temps changent très vite<br /> C’est très excitant
lithium
Je ne comprends pas quel est le principe exactement.<br /> Les blocs de données similaires se rapprocheraient «&nbsp;mécaniquement&nbsp;» dans la mram en un processus comparable aux connexions neurales de la mémoire biologique ?
Gweegoo
C’est peut-être prétentieux de ma part mais la j’ai l’impression que c’est un gros hoax scientifique.<br /> La comparaison avec le cerveau … donc le synapse est comparé à quoi? Une mémoire en réseau mise dans une puce?<br /> Ça va plus vite quand les calculs sont effectués in-memory… on le sait depuis 10 ans<br /> Ca reconnaît l’écriture manuelle avec plus de précision: c’est un programme qui fait ça, non une puce<br /> Bref j’ai pas vu l’invention ou la nouveauté mais j’ai peut-être raté qqch.<br />
lithium
d’après ce que j’ai compris d’autres articles ça n’a aucun rapport avec la mémoire biologique.<br /> Ce serait juste une mémoire non volatile performante qui permet entre autres de stocker des données de types réseau neuronal informatique dynamiques mais persistantes dans un petit espace comme un SoC ce qui améliorerait les capacités d’apprentissage des algorithme de type réseau neuronal.<br /> De la RAM persistante en opposition à la dram actuelle qui stocke les bits sous formes de charges électriques perdues quand l’alimentation électrique s’arrête.
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