Spansion proposera prochainement une mémoire NAND Flash de nouvelle génération qui devrait permettre de multiplier par quatre la capacité des chips NAND Flash actuels. Spansion annonce alors qu'il sera en mesure de concurrencer la mémoire Flash NOR produite par Intel et les modèles de mémoire NAND produits par Samsung et Toshiba.
Spansion annonce que la plupart des téléphones mobiles récents possèdent près de 24 Mo de mémoire Flash intégrés. Pendant le second semestre 2006, la majorité des téléphones devraient posséder au moins de 70 Mo. Pendant cette même période, les téléphones mobiles très haut de gamme pourraient même proposer jusqu'à 625 Mo de mémoire grâce aux progrès technologiques.
Pour étendre et moderniser sa production, Spansion a annoncé un investissement de 954 millions de dollars US. Mardi dernier, Hynix et STMicroelectronics ont signé un accord qui pèse 2 milliards de dollars pour mettre en place deux nouvelles lignes de production en Chine dédiées à la DRAM et à la mémoire Flash.
