SanDisk pousse la flash NAND X3 au 19 nm

01 juin 2018 à 15h36
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SanDisk et Toshiba ont annoncé hier que, non content d'être à leur tour parvenus à concevoir une puce de mémoire flash NAND de 128 Gb (16 Go), ils l'ont fait en abatant deux records.

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La puce de mémoire flash NAND de SanDisk et Toshiba est effectivement la première au monde gravée en 19 nm, contre 20 nm pour la co-entreprise d'Intel et Micron. La surface du die est donc réduite à 170 mm², un nouveau record pour des puces destinées aux smartphones, tablettes et Ultrabooks.

Qui plus est, cette puce exploite pour ce faire la cinquième génération du procédé MLC (multi-level cell) maison à 3 bits par cellule, appelé X3.

Mehrdad Mofidi, vice président de la division mémoire de SanDisk, reconnait lui-même que « la conception d'une puce d'un tel niveau de complexité est une réussite incroyable », malheureusement sans prendre la peine d'expliquer quelles parades sont employées pour assurer une bonne fiabilité.

La complexité de cette puce en restreint quoi qu'il en soit le taux de transfert à un modeste 18 Mo/s en écriture, en dépit du recours à une architecture maison baptisée « advanced all bit line », améliorant le débit.

La production de puces de mémoire flash NAND de 128 Gb en X3 et 19 nm a d'ores et déjà démarré. Le principal intérêt de cette implémentation serait son faible coût de fabrication, estimé à 0,28 dollar/Go par un analyste, contre 0,35 dollar/Go pour celle d'Intel/Micron. Quand bien même le fabricant en profitera probablement pour augmenter sa marge, le prix de vente au client final devrait lui aussi baisser.
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