Intel et Micron passent la Flash NAND au 20 nm

01 juin 2018 à 15h36
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La co-entreprise montée entre Intel et Micron autour de la mémoire vient d'annoncer la finalisation d'un processus de gravure qui permettra la conception de cellules Flash NAND gravées en 20 nanomètres. Les premiers échantillons de test sont des modules de 8 Go, plus petits que leurs prédécesseurs gravés en 25 nanomètres, mais offrant selon Intel des caractéristiques similaires en termes d'usure.

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La fin de l'année 2011 pourrait voir l'arrivée sur le marché des premiers SSD munis de puces mémoire gravées en 20 nanomètres, si l'on en croit les annonces formulées cette semaine par Intel et Micron. Les deux partenaires affirment en effet être parvenus à mener à bien la production des premiers échantillons d'une puce de 8 Go en 20 nm. Celle-ci affiche une surface de 118 mm², soit une réduction d'environ 30% par rapport à l'encombrement d'une puce similaire gravée en 25 nanomètres.

Plus petites, ces puces seront donc d'autant plus simples à intégrer aux appareils électroniques courants, et participeront à l'augmentation des capacités de stockage des terminaux mobiles. Dans un second temps, Intel et Micron produiront d'ailleurs des modules de 16 Go qui, selon leur communication, permettront d'aboutir à l'élaboration d'une solution SSD de 128 Go « plus petite qu'un timbre ».

Reste à mesurer en pratique les conséquences de cette finesse de gravure inédite sur les performances et la durée de vie des puces ainsi produites. Les deux fondeurs affirment qu'à ce niveau, les puces 20 nm offriront des caractéristiques très proches des modules actuellement produits en 25 nm. Le passage du 34 au 25 nanomètres avait pourtant entraîné une réduction importante du nombre de cycles de lecture / écriture tolérés par ces puces de Flash NAND.

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