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Intel en route pour la mémoire à changement de phase

12 mars 2007 à 10h48
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Le numéro un mondial des semiconducteurs, Intel, annonce que la mémoire à changement de phase devrait entrer en production de masse avant la fin de l'année. N'oublions pas en effet qu'Intel ne fabrique pas seulement des Processeurs mais également de la mémoire. La mémoire à changement de phase ou mémoire PCM (ou encore PRAM) est appelée à succéder à la mémoire flash. Partageant avec la mémoire flash les mêmes caractéristiques de non volatilité, la mémoire à changement de phase est plus rapide et occupe moins de place d'un strict point de vue physique. Et là où la mémoire flash peut devenir instable après 10 000 écritures, la mémoire PCM est validée pour plus de 100 millions de cycles d'écriture ! Pour le responsable de la technologie mémoire chez Intel, Ed Doller, « La mémoire à changement de phase est proche du Nirvana », rien que ça !

En décembre 2006, exposait, en partenariat avec Qimonda et Macronix, un prototype de mémoire à changement de phase, prototype qui s'avérait 500 fois plus rapide que de la mémoire flash conventionnelle alors qu'il consommait moins d'énergie. Mais là où IBM n'en est encore qu'au stade de prototype, Intel s'apprête à lancer une production industrielle. Le fondeur indiquait ainsi avoir produit des wafer de mémoires à changement de phase en 90nm. Et Intel indique que les données stockées sur cette nouvelle mémoire pourrait être conservées pendant une dizaine d'années à 85° C.
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