Samsung et Toshiba ont réaffirmer leur engagement en faveur du développement de la mémoire flash DDR NAND avec une interface de 400Mb/s, pour s'adapter aux spécifications de la DDR2. Les deux entreprises ont annoncé leur soutien à la création d'une spécification industrielle standard pour permettre l'acceptation à grande échelle de la technologie à haute vitesse.
La mémoire DDR2 NAND ciblera des applications électroniques et mobiles grand public, notamment là où il y a une demande pour plus de performances, selon l'annonce conjointe des deux fabricants. Les spécifications actuelles de la DDR 1.0 incluent une interface vers les architectures NAND SDR conventionnelles. La puce qui en découle a une interface de 133Mb/s. Selon Samsung et Toshiba, les deux entreprises se concentrent maintenant sur la possibilité d'assurer une vitesse de 400Mb/s, pour l'interface DDR 2.0.
En juin 2010, Samsung et Toshiba avaient lancé une participation commune aux efforts de standardisation pour la DDR 2.0 à travers la JEDEC Solid State Technology Association. «
L'adoption rapide de smartphones 4G, de tablettes et de SSD doit assurer la demande pour un panel plus large de solutions NAND performantes. »
