Attendu pour décembre, le Snapdragon 898 serait 20 % plus performant que le SD 888

14 août 2021 à 15h22
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© Qualcomm
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Avec son Snapdragon 898 gravé en 4 nm, Qualcomm va encore apporter un gain de performances conséquent à sa gamme de puces premium.

Comme à chaque fin d'année, Qualcomm va lancer une nouvelle génération de puces haute de gamme pour smartphone. Pour prendre la suite des Snapdragon 888 et 888 Plus, la marque va miser sur le SoC Snapdragon 898.

Le Xiaomi Mi 12 comme premier bénéficiaire ?

Celui-ci serait fabriqué selon un procédé de gravure de Samsung, et non de TSMC, avec une finesse de 4 nm (contre 5 nm pour les puces les plus premium du marché aujourd'hui). L'architecture se baserait sur un cœur principal Cortex-X2 très performant, des cœurs Cortex-A710 intermédiaires et des cœurs Cortex-A510 pour les tâches les moins gourmandes.

D'après Digital Chat Station, un leaker qui officie sur le réseau social chinois Weibo, le Snapdragon 898 disposerait de performances environ 20 % supérieures au modèle précédent.

Le SoC devrait être présenté début décembre lors de la traditionnelle conférence annuelle de Qualcomm. Le Xiaomi Mi 12 attendu pour le début d'année 2022 pourrait être le premier smartphone à s'en équiper.

Source : Sparrowsnews

Alexandre Schmid

Gamer et tech enthusiast, j’ai fait de mes passions mon métier. Diplômé d’un Master en RNG sur Hearthstone. Rigole aux blagues d’Alexa.

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Commentaires (6)

lapin-tfc
Un peu plus que la puissance d’un galaxy s7 en plus pour cette année, vive le progrès !
deathwest
Certainement pas
lapin-tfc
Merci de justifier ta réponse, trop facile…
DrGeekill
20 % de puissance en plus qui va faire flamber les prix des nouveautés (comme tous les ans certes) mais un SnapDragon 888 qui ne sera pas exploité à son plein potentiel avant encore très longtemps et aura encore de TRÈS belles années devant lui.
nap1805
Amusant de voir Samsung se charger de la fabrication… sachant qu’ils arrivent a fond de train avec leur Samsung-AMD golden egg… ^-^
Cynian90
Quel recours pour le consommateur si après mesure le transistor mesure plus de 4 nm ? Ou s’il en manque une dizaine ?
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