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Samsung continue de pousser ses pions sur le marché de la mémoire vive. Après avoir entamé la production de puces 12 Go en LPDDR4X, le géant coréen annonce aujourd'hui, par l'intermédiaire d'un communiqué (via TechPowerUp), avoir développé une troisième génération de DRAM DDR4 8 Gb, gravée en 10 nm (1z-nm).
Cette nouvelle intervient 16 mois après le début de production de mémoire DRAM DDR4 10 nm de seconde génération (1y-nm), rappelle Samsung, qui précise que le développement de mémoire 1z-nm (de troisième génération, donc) - sans recours à la gravure par EUV - a permis de « pousser encore plus loin les limites de miniaturisation de la DRAM ».
Samsung assure ses arrières sur le marché
Cette avancée technologique permet aussi (et surtout) à Samsung de maintenir son rang sur le marché et de se tenir prêt pour l'avenir immédiat. La firme assure ainsi être en mesure de répondre à la demande croissante en mémoire vive et indique que sa nouvelle DRAM DDR4 (1z-nm) permet une productivité en hausse de 20 % par rapport à la version précédente (1y-nm).La production de masse de cette nouvelle génération de DRAM devrait d'ailleurs débuter sur la seconde moitié de cette année, assure Samsung. Elle sera employée sur les PC high-end et les serveurs à l'horizon 2020, ajoute la firme dans son communiqué.
Accélérer « la transition vers les interface DRAM de nouvelle génération »
Au delà des simples bénéfices industriels et commerciaux dont Samsung devrait profiter en lançant sa mémoire nouvelle génération, la firme espère accélérer la transition globale du marché vers les nouvelles interfaces DRAM (DDR5, LPDDR5 et GDDR6, note la marque). Les gains en performances et en efficacité énergétique permis par ces dernières devraient bénéficier en tout premier lieu au secteur du serveur, mais aussi aux mondes de la mobilité et des cartes graphiques. Des domaines respectifs qui ont définitivement le vent en poupe.Toujours dans son communiqué, Samsung précise avoir travaillé avec un fabricant de CPUs pour obtenir une validation complète de ses nouveaux modules DDR4 8 GB. La firme assure enfin collaborer avec des acteurs de l'industrie pour délivrer sous peu « un éventail de solutions mémoire ». Pour ce faire, une hausse de production au sein de son site de Pyeongtaek, en Corée, est d'ores et déjà évoquée.
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