NAND 3D : SanDisk passe aussi en TLC

SanDisk annonce la mise en production de sa mémoire NAND 3D (ou x3 chez ce constructeur). Deux particularités : une structure à 48 couches et des dies de 256 Gb.

La semaine dernière, nous apprenions que les futurs SSD de hautes capacités Optimus Max de SanDisk ne devraient finalement voir le jour que l'an prochain. Nous supposions alors un léger retard sur la maîtrise du processus de fabrication des puces de mémoire 3D TLC sur lequel s'appuyait forcément la conception de ces SSD. SanDisk semble nous donner raison, puisque le constructeur annonce aujourd'hui la mise en production de ses NAND 3x, pour une utilisation courant 2016.

La marque, qui partage ses usines avec le japonais Toshiba, est en retard dans ce domaine sur le rival Samsung, qui utilise déjà sa mémoire V-NAND dans ses 850 Pro et 850 Evo. Toutefois, les puces que s'apprête à produire SanDisk sont plus évoluées que celles du constructeur coréen.

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Samsung équipe en effet ses SSD de NAND de 32 couches, avec des dies de 128 Gbits pour le 850 Evo, qui utilise de la mémoire TLC, et de 86 Gbits pour le 850 Pro, en MLC. Les composants de SanDisk et Toshiba comportent quant à eux 48 couches (comme c'était le cas sur sa précédente génération de puces 3D) et utilisent de la TLC, pour une capacité par die de 256 Gbits.

On peut donc supposer que la densité de données soit ici plus importante que sur les SSD Samsung, même si SanDisk ne donne aucune information concernant la finesse de gravure. Cette dernière ne devrait d'ailleurs pas être très élevée, puisque SanDisk annonce un gain d'endurance sur sa nouvelle technologie (sans autre précision), gain que l'on doit sans doute à une gravure plus lâche qui minimise les risques de fuites d'électrons.

A densité plus importante, coût logiquement moindre : les puces 3x de SanDisk devraient permettre au constructeur de proposer des SSD encore moins chers, alors que la marque pratique déjà une politique tarifaire souvent agressive.

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Modifié le 01/06/2018 à 15h36
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