Lors du dernier IDF à Taiwan, Samsung a précisé qu'il commencera à produire en quantité des chips de mémoire DDR3 à partir du second semestre 2006. Cette mémoire sera cadencée, dans un premier temps, à la fréquence de 800 MHz. Un peu plus tard, des versions 1066 et 1333 MHz verront également le jour.
Grâce à son architecture, la DDR3 devrait être capable d'offrir la même bande passante que la DDR2, en utilisant une fréquence de fonctionnement deux fois moins élevée. Outre cela, la DDR3 utilisera une tension de 1,5 Volt contre 1,8 Volt pour la DDR2 et 2,5 Volts pour la DDR. Cette nouvelle mémoire devrait donc consommer moins d'énergie, chose particulièrement intéressante pour l'autonomie des Ordinateurs Portables.
Photo d'une barrette DDR3 par HKEPC.com
Les mémoires DDR3 1066 MHz et DDR 3 1333 MHz gravées en 70 nanomètres devraient respectivement consommer 40% et 29% d'énergie en moins que la mémoire DDR2 800 MHz gravée en 90 nanomètres. Toutefois, avant de profiter de cette nouvelle génération de mémoire il faudra encore patienter. En effet, Intel de son côté ne prévoit pas d'employer de DDR3 sur ses plateformes avant le deuxième semestre 2007, alors que la démocratisation de la DDR3 n'est pas prévue avant début 2009.
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