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Mémoire flash : Samsung passe à 40 nanomètres

11 septembre 2006 à 11h52
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Samsung annonce aujourd'hui avoir mis au point le premier module de mémoire flash d'une capacité de 32 Gbits, soit 4 Go, gravé en 40 nanomètres. Selon le Coréen, cette innovation qui va permettre de proposer des Cartes Mémoire dotées de capacités de 64 Go et plus n'est qu'une transition. Prochaine étape : le passage au 20 nanomètres, pour des modules mémoire de 256 Gbits (32 Go).

Après la célèbre loi de Moore, Samsung entend bien instaurer et surtout vérifier la « loi de Hwang », du nom de son président, Hwang Chang-gyu. Cette dernière édicte que la densité des puces de mémoire flash de dernière génération doublera tous les douze mois. Pour ce faire, Samsung indique avoir mis au point une nouvelle structure de transistors qui permettra de dépasser les limitations actuellement induites par les méthodes de conception de la mémoire flash.

Samsung annonce par ailleurs travailler à l'élaboration d'une nouvelle forme de mémoire qu'il présente comme le successeur de la flash NOR. La PRAM, pour Phase-change Random Access Memory serait jusqu'à trente fois plus rapide que la mémoire NOR, notamment parce qu'il n'est pas nécessaire de commencer par effacer les données avant d'en inscrire de nouvelles. Par ailleurs, les puces de PRAM auraient une durée de vie jusqu'à dix fois supérieure, occuperaient deux fois moins de place à capacité équivalente que leurs consoeurs NOR et couteraient jusqu'à 20% moins cher à produire. Des arguments suffisants selon Samsung pour attribuer à la PRAM le sobriquet de « Perfect RAM »...

Un premier prototype a déjà été mis au point, en attendant les premières déclinaisons commerciales, prévues pour 2008 avec une première série de puces de 512 Mb.
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