Toshiba produit en masse de la NAND Flash en 24 nm

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Toshiba a aujourd'hui annoncé qu'il avait démarré la production de masse de mémoire NAND flash reposant sur un procédé avancé de fabrication en 24 nm. Le fabricant nippon devance ainsi la joint venture regroupant Intel et Micron, IM Flash Technologies, qui ne fabriquera de la mémoire en 25 nm qu'en fin d'année. À titre de comparaison, la mémoire aujourd'hui sur le marché est dans la trentaine de nanomètres.

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Le géant du semi-conducteur fabrique pour l'heure à partir de ce procédé des puces de NAND flash à 2 bits par cellule de 64 Gigabits, soit 8 Go. Ces puces font appel à la technologie de la toggle mode DDR, apportant une hausse des taux de transfert. Des puces de 32 Gigabits à 3 bits par cellule entreront en production prochainement.

Non contente de permettre de fabriquer des supports de stockage plus denses, offrant une capacité plus importante pour un même encombrement ou réciproquement, une plus grande finesse de gravure permet surtout de produire plus de puces à partir d'un même wafer, la matière première d'une puce électronique. Elle réduit de fait les couts de fabrication, et par conséquent le prix de vente.
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