Technologie 'strained silicon' dans le Prescott

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et Intel devrait dévoiler la semaine prochaine une nouvelle technologie baptisée "Strained Silicon" qui permettra à finesse de gravure égale, des Processeurs environ 20% plus rapides.

Cette technologie permet d'optimiser les distances des atomes de silicium dans les transistors des processeurs afin de minimiser les interférences, pour offrir des processeurs cadencés à des fréquences plus élevées et qui consommeront moins d'énergie.

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Le Prescott d'Intel qui sera un Pentium 4 amélioré (spécifications probables : fréquence de bus de 800MHz, 1Mo de cache L2, Hyper-Threading II) gravé en 0.09 micron devrait être l'un des premiers processeurs à profiter de cette technologie. La gravure 0.09 micron associée au 'Stained Silicon" devrait permettre au Prescott qui sera introduit à une fréquence d'environ 3.4 GHz en 2003 de monter très haut en fréquence (on parle d'une fréquence maximale de plus de 5 GHz).
Modifié le 01/06/2018 à 15h36
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