SSD : Samsung présente son 840 EVO, TLC jusqu'à 1 To

Samsung a dévoilé jeudi à Séoul son futur SSD client au format 2,5 pouces, le 840 EVO. Développé intégralement en interne, il promet des débits supérieurs à 500 Mo/s en écriture séquentielle comme en lecture, et sera décliné en capacités allant de 120 Go à 1 To.

Moins d'un an après le lancement des gammes 840 et 840 Pro (voir test), Samsung remet le couvert avec l'annonce, jeudi à Séoul, de la série 840 EVO. Ces SSD, destinés aux postes clients (PC), restent au format 2,5 pouces sur interface SATA 3, mais inaugurent une nouvelle génération du contrôleur maison ainsi que le passage à de la mémoire Flash gravée à moins de 20 nm (Samsung parle de « 1x nm », avant de finalement lâcher qu'il s'agit de 19 nm). Vus de l'extérieur, les 840 EVO ne se distinguent guère de leurs prédécesseurs. L'intérieur en revanche recèle quelques nouveautés, qui constituent une évolution intéressante par rapport au SSD 840 lancé à la rentrée 2012.

La gamme EVO fait en effet appel à des puces de mémoire Flash de type TLC (Triple Layer Cell), ce qui signifie que chaque cellule est capable d'enregistrer jusqu'à 3 bits d'information (contre 2 bits sur une cellule MLC standard, ou 1 bit sur une cellule SLC). Cette technologie, développée par Samsung comme par ses concurrents (Toshiba notamment) permet d'obtenir un coût au Go bien plus abordable mais si l'on pense aux performances, ce choix n'est pas anodin : écrire 3 bits sur une cellule prend plus de temps qu'en écrire 1 ou 2, et les débits en écriture autorisés par le Samsung 840 s'en ressentaient, avec une promesse atteignant, au mieux, 330 Mo/s sur la version 500 Go du support.


Avec EVO, Samsung promet, en dépit de l'usage de puces TLC, des performances équivalentes à celles obtenues avec un SSD équipé en MLC. Les modèles de 250 Go et plus autorisent en effet des débits maximum séquentiels en écriture de l'ordre de 520 Mo/s, contre 540 Mo/s en lecture. La version 120 Go, qui utilise moins de puces, atteindrait quant à elle 410 Mo/s en écriture, contre 120 Mo/s seulement sur le 840. On aurait donc les bénéfices d'un SSD comme le 840 Pro et ses puces MLC, mais à un tarif plus compétitif grâce à l'usage de Flash TLC.

En aléatoire sur des blocs de 4 Ko, Samsung revendique des performances maximales de l'ordre de 98 000 IOPS en lecture et 90 000 IOPS en écriture sur les versions 500 Go et 1 To. Des valeurs qui redescendent à 97k / 66k pour le 250 Go et 94k / 35k pour le 120 Go, du fait du nombre de puces mémoire inférieur. Le sud-coréen équipe en effet ses SSD EVO de puces de 128 Gb (16 Go), dont la production de masse a débuté en avril dernier.

Pour parvenir à ces résultats, Samsung inaugure une nouvelle génération de son contrôleur maison, baptisé MEX, qui succède donc au MDX présent dans le 840. Celui-ci s'articule toujours autour de trois coeurs Cortex-R4, désormais cadencés à 400 MHz (contre 300 Mhz sur le 840). Le contrôleur est toujours soutenu par un cache de mémoire vive (LPDDR2), dont la quantité varie en fonction de la capacité du SSD : 256 Mo pour le 120 Go, 512 Mo pour les versions 250 et 500 Go, et 1 Go pour les modèles 750 Go et 1 To.

TurboMemory, quand la Flash sert de cache à la Flash

Entre autres amélioration, Samsung attribue l'augmentation des débits à une technologie de son cru, qu'il appelle TurboWrite. L'idée consiste à utiliser une partie de la mémoire disponible comme un cache, qui sera traité non comme de la mémoire MLC, mais comme de la mémoire SLC. Sur la version 1 To, Samsung réserve par exemple 36 Go de mémoire à cet usage. Ces 36 Go, à 3 bits par cellule, sont ramenés à 12 Go : le contrôleur n'y écrit que 1 bit par cellule, de façon à ce que le procédé soit le plus rapide possible. Les données sont ensuite répliquées sur les autres cellules du SSD en tâche de fond dès que le contrôleur est disponible.


Théoriquement, on obtiendrait donc des performances en écriture séquentielle proches de celles d'un SSD composé de mémoire simple couche (SLC). Dans la pratique, il faudra voir comment le contrôleur s'acquitte de cette écriture en deux temps, notamment lors de très grosses séquences continues. Samsung confirme en effet qu'une fois le cache simili-SLC rempli, les données partiront directement sur la mémoire traitée comme de la TLC, et les débits seront dégradés, tombant au niveau de ceux de l'actuel 840.

Le cache sera de 12 Go sur le modèle 1 To, 9 Go sur le 750 Go, 6 Go sur le 500 Go et 3 Go sur les 250 et 120 Go. Le procédé est ingénieux... mais pas inédit : on le retrouve en effet au coeur du dernier Extreme II de Sandisk par exemple.

L'équation économique associée au TLC permet également d'envisager de monter plus haut en capacité : Samsung se félicite ainsi d'apporter sur le marché avec la gamme EVO son premier SSD de 1 To abordable pour le consommateur final. Pour percer, le sud-coréen devra logiquement tenter de se positionner de façon plus avantageuse que ne le fait déjà Crucial avec la version 1 To de son M500 (voir test), vendue aux alentours de 560 euros (soit 0,58 euro le Go).


Assortie à une garantie de trois ans, la gamme EVO sera lancée en août, avec un SSD décliné selon trois versions : le kit standard, un kit pensé pour les PC portables, fourni notamment avec un spacer facilitant son installation dans un logement de 9,5 mm ainsi qu'un adaptateur SATA vers USB 3.0 (pour faciliter la migration des données), et un kit desktop, fourni avec un câble SATA et quelques accessoires supplémentaires. Les tarifs attendus (hors taxe) sur le marché américain sont décrits dans la photo ci-dessous. Ils vont de 110 dollars environ pour le modèle 120 Go à 650 dollars pour le modèle 1 To.