Samsung : mémoire Flash NAND 8 Gb en 60nm

01 juin 2018 à 15h36
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Samsung a annoncé aujourd'hui l'arrivée prochaine de mémoire Flash de type NAND (lecture / écriture rapide) de 8 Gb (soit 1 Go). Gravé en 60 nanomètres, ces nouvelles puces de mémoire pourront exploiter la technologie MLC (Multi-Level-Cell / intégration de plusieurs puces dans la même enveloppe) afin de mettre au point des solutions Flash capables de stocker jusqu'à 8 Go de données par chip.

Selon Samsung, l'utilisation de la finesse de gravure en 60 nanomètres devrait permettre d'augmenter de 25% le rendement des puces utilisables en sortie d'usine. Les puces de 8 Go de Samsung devraient être disponibles à partir du troisième trimestre. Samsung pense également employer ces nouvelles puces pour proposer des solutions moviNAND de 2 Go, principalement dédié aux téléphones mobiles.

Il faudra certainement attendre de nombreux mois avant que ces solutions ne soient exploitées dans les baladeurs et autres appareils mobiles. Plusieurs rumeurs indiquent toutefois qu'Apple pourrait dévoiler prochainement un iPod Nano de 8 Go ou plus, en exploitant ce type de puces.

Le mois dernier, Samsung a lancé sa puce OneNAND 2 Gb gravé en 60 nanomètres qui offre des performances accrues (vitesse de lecture de 108 Mo/sec et vitesse d'écriture de 17 Mo/sec). Elle se destine principalement à la conception de disque SSD (Solid State Disk), c'est à dire aux « Disques durs » entièrement composés de mémoire Flash.
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