🔴 LE BLACK FRIDAY EN DIRECT !

Samsung : NAND Flash 8Gbit en 70 nanomètres

01 juin 2018 à 15h36
0
00FA000000126022-photo-samsung-onenand-flash-4-gbit.jpg
Samsung a annoncé qu'il avait commencé à produire en masse des chips de mémoire NAND Flash de 4Gbit (512 Mo) en utilisant une nouvelle finesse de gravure de 70 nanomètres. Les premiers chips de mémoire Flash NAND 4 Git de Samsung ont été lancés en 2003. Aujourd'hui, l'utilisation de la finesse de gravure de 90 nanomètres va permettre de réduire les coûts de production liés à cette mémoire. Ce chip NAND 4Gbit nouvelle génération utilise un procédé qui permet d'encapsuler 4 chips de 1Gbit dans une même enveloppe. Le chip en question est capable d'offrir une vitesse d'écriture de 16 Mo/sec, soit deux fois la vitesse d'écriture d'un chip 2Gbit gravé en 90 nanomètres.

Ces nouveaux chips pourront être employés dans les téléphones mobiles, les Clés USB, ainsi que dans certaines consoles de jeu. Le marché de la mémoire Flash devrait générer un chiffre d'affaires de 8 milliards de dollars cette année et devrait atteindre les 13 milliards d'ici 2008.

Depuis 2002, Samsung est resté le leader sur ce marché. En 2004, Samsung possédait 54% des parts de marché de la mémoire NAND Flash.
Soyez toujours courtois dans vos commentaires.
Respectez le réglement de la communauté.
0
0

Actualités du moment

NHK et Sony dans les disques durs miniatures ?
FingerMind : un portail WiFi pour les mobinautes de la gare Montparnasse
L’ARCEP place le marché des MVNO
L'UIT normalise le VDSL 2 et ses débits de 100 Mb/s
Déjà 200 000 abonnés 3G/UMTS en France
NVIDIA G70 davantage de photos
La carte d'identité numérique crée la polémique
Google Print se dévoile
Premiers CPU Intel avec ventilateurs BTX
Une avalanche d'images pour Operation : Matriarchy
Haut de page