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SSD Samsung 850 Evo : de la TLC, mais en 3D

01 juin 2018 à 15h36
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Samsung décline sa série 850 en un Evo qui, comme prévu, embarque de la mémoire TLC. Un SSD d'entrée de gamme dont la particularité est d'être garanti 5 ans.

Comme nous le présentions en conclusion de notre test du 850 Pro, Samsung n'a pas tardé à adapter sa technologie V-NAND aux puces de type TLC.

Pour rappel, les V-NAND de Samsung sont constituées de 32 couches de puces. Sur une même surface, la densité de données est évidemment bien plus importante qu'en utilisant des NAND planes, puisque vous utilisez une troisième dimension. Avec la TLC, qui permet de « stocker » 3 bits par cellules (contre deux pour les puces dites MLC), cette densité est encore décuplée. D'autant que Samsung prévoit des dies de 16 Go (les plus importants à l'heure actuelle). Par rapport à la mémoire TLC présente au sein d'un 840 Evo, la densité est ainsi doublée, d'après Samsung.

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Cette importante densité de données permet à Samsung de relâcher un peu la finesse de gravure : comme sur le 850 Pro, la NAND est gravée en 40 nm. Ce qui permet aux puces d'assumer, en théorie, un plus grand nombre de cycles : d'après le test réalisé par nos confrères d'AnandTech, les flash du 850 Evo sont prévues pour supporter 2 000 cycles d'écriture. De son côté, Samsung revendique une endurance de 75 To pour les versions 120 et 250 Go, et 150 To pour les modèles 500 Go et 1 To.

Côté performances, Samsung reconduit son dispositif Turbo Write. Petit rappel là aussi : le fonctionnement de ce Turbo Write (et celui du nCache de SanDisk) consiste à utiliser une partie des NAND du SSD comme des puces SLC, c'est-à-dire qu'un seul bit est écrit à la fois. Ces puces servent de cache, dont les performances sont supérieures au « reste » du SSD. Une fois ce dernier revenu au repos, les données sont transférées sur les puces TLC.

Tous les SSD de la gamme 850 Evo ne sont pas égaux devant cette technologie. En effet, si la taille du transfert dépasse la capacité allouée à ce mécanisme, les débits chutent de manière significative. Ainsi, plus la quantité de mémoire TLC « convertie » en SLC est importante, plus les performances élevées sont maintenues au cours du transfert. Le tableau qui suit résume les performances du 850 Evo.

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On constate que ce sont surtout les versions 120 et 250 Go qui ont le plus recours à ce dispositif, alors que les modèles 500 Go et 1 To n'en ont quasiment pas l'utilité.

A l'intérieur de ces SSD, Samsung introduit un nouveau contrôleur MGX, présent au sein des 850 Evo 120, 240 et 500 Go. Cette puce, comme le MEX qui officie au sein de la version 1 To, gère le chiffrement AES 256-bit, le YCG Opal 2.0 et la norme IEEE-1667. Voilà pour l'aspect sécurité. En revanche, quand le MEX dispose de trois cœurs ARM Cortex R4, le MGX n'en dispose que de deux.

On ne connaît pas encore les prix européens pour ce 850 Evo, qui devrait arriver chez les marchands dans quelques semaines. Les tarifs en dollars sont cependant annoncés : comptez 100 dollars pour la version 120 Go, 150 dollars pour le modèle 250 Go, 270 dollars pour la déclinaison 500 Go et 500 dollars pour le 850 Evo disposant d'une capacité de 1 To.

L'endurance annoncée, la garantie de 5 ans et la possibilité et les diverses technologies de Samsung (Turbo Write, Rapid Mode) suffiront-elles à compenser ces tarifs supérieurs à ceux d'un MX100 de Crucial, notamment ? Ce sera aux consommateurs de le dire.



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