Mémoire à changement de phase: Intel fait des progrès

28 octobre 2009 à 18h00
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Le géant des semi-conducteurs Intel fait aujourd'hui part d'une avancée significative dans ses recherches sur le développement de la mémoire à changement de phase (également appelée mémoire PCM ou Phase Change Memory). En partenariat avec Numonyx, Intel annonce la mise au point d'une puce de test d'une capacité de 64 Mo où sont empilées plusieurs couches de matrices de mémoire à changement de phase. Intel présente la chose comme une cellule mémoire à intégration verticale ou PCMS (Phase Change Memory Switch) : en plus de l'élément PCM, on retrouve une couche de commutation baptisée OTS (Ovonic Threshold Switch) qui permet de créer un ensemble de points de croisement pour empiler les couches et ainsi densifier la mémoire sans perte de performance.

La principale perspective ouverte par cette annonce est la réalisation de mémoire de plus grande capacité pour une consommation électrique plus faible et un encombrement réduit. Les deux partenaires continuent donc leur collaboration pour faire progresser les technologies mémoire actuelles. Naturellement l'arrivée commerciale de ces technologies n'est pas prévue avant plusieurs années, en attendant nous gardons bon espoir de les retrouver un jour dans un SSD, par exemple !

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Modifié le 01/06/2018 à 15h36
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