Samsung et Numonyx vers l'avenir de la mémoire

24 juin 2009 à 14h51
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Petite révolution du domaine de l'informatique, la mémoire à changement de phase, aussi appelée PRAM pour Phase-change Random Access Memory ou PCM pour Phase Change Memory, se fait désirer. Alors que Samsung nous promettait sa commercialisation ce mois-ci, ce dernier se contente finalement d'annoncer qu'il développe les spécifications de cette nouvelle génération de mémoire, conjointement avec Numonyx, jeune alliance entre Intel et ST Micro.

Les deux spécialistes du semi-conducteur travaillent ainsi sur la standardisation de la PRAM, dans l'optique de produire des puces de mémoire compatibles, non seulement sur le plan logiciel mais aussi sur le plan matériel. Les deux fabricants se concentrent pour l'heure sur les usages mobiles de la PRAM répondant au Low Power Memory Device Standard du JEDEC, comprenant notamment des fonctions de gestion de l'énergie.

La mémoire à changement de phase combine pour rappel les avantages de la mémoire NOR ou NAND Flash à ceux d'autres technologies de RAM. Non volatile, elle est effectivement jusqu'à trente fois plus rapide que la mémoire flash conventionnelle tout en consommant deux fois moins d'énergie. Elle est en outre bien plus fiable puisqu'elle est validée pour 100 millions de cycles, contre seulement 10 000 pour la mémoire flash.

Cette annonce est enfin l'occasion pour Samsung de retarder discrètement la commercialisation des premières puces PCM, puisque les deux sociétés envisagent d'achever leur spécifications l'année prochaine.
Modifié le 01/06/2018 à 15h36
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