0
Champion des microprocesseurs, Intel s'impose également dans les mémoires flash NOR avec la mise en production de produits gravés en 65 nanomètres
Après avoir introduit les premiers microprocesseurs gravés en 65 nanomètres, Intel reproduit ce procédé de gravure pour une nouvelle génération de puces de mémoire flash NOR multiniveau (Multi-Level Cell, MLC) d'une densité de 1 gigabit.
Concurrente de la technologie NAND, la mémoire flash NOR d'Intel est employée sur divers terminaux de poche, parmi lesquels des téléphones mobiles (gestion du fonctionnement) et des assistants numériques (gestion des données, stockage des photos, musiques et vidéos).
"Avec ces produits, Intel continue de proposer les mémoires flash NOR les plus perfectionnées sur le créneau des téléphones mobiles. Notre procédé de gravure en 65 nm améliorera les performances des mémoires flash et se mettra au service d'une nouvelle génération de téléphones mobiles qui procureront aux utilisateurs des fonctionnalités améliorées pour certaines et inédites pour d'autres." explique Brian Harrison, Vice President d'Intel et General Manager du Flash Memory Group
Après avoir introduit les premiers microprocesseurs gravés en 65 nanomètres, Intel reproduit ce procédé de gravure pour une nouvelle génération de puces de mémoire flash NOR multiniveau (Multi-Level Cell, MLC) d'une densité de 1 gigabit.
Concurrente de la technologie NAND, la mémoire flash NOR d'Intel est employée sur divers terminaux de poche, parmi lesquels des téléphones mobiles (gestion du fonctionnement) et des assistants numériques (gestion des données, stockage des photos, musiques et vidéos).
"Avec ces produits, Intel continue de proposer les mémoires flash NOR les plus perfectionnées sur le créneau des téléphones mobiles. Notre procédé de gravure en 65 nm améliorera les performances des mémoires flash et se mettra au service d'une nouvelle génération de téléphones mobiles qui procureront aux utilisateurs des fonctionnalités améliorées pour certaines et inédites pour d'autres." explique Brian Harrison, Vice President d'Intel et General Manager du Flash Memory Group
