AMD et IBM optimisent leur gravure 0.09 micron

IBM et AMD devraient employer au sein de leurs Processeurs 90 nanomètres (0.09 micron) à partir du premier trimestre 2005, une nouvelle technologie baptisée "Dual Stress Liners" ou DSL qui devrait améliorer de 24% l'efficacité des transistors de leurs processeurs respectifs, sans pour autant faire baisser les rendements en sortie d'usines.

De son côté, Intel travaille sur une version améliorée de la technologie Strained Silicon qui est aussi employée par AMD. Cette technologie permet d'optimiser les distances des atomes de silicium dans les transistors des processeurs afin de minimiser les interférences, pour offrir des processeurs cadencés à des fréquences plus élevées et qui consommeront moins d'énergie. Intel prévoit que leur nouveau "Strained Silicon" permettra d'améliorer de 30% l'efficacité des transistors dans leurs processeurs 65 nanomètres.

AMD intègre déjà la technologie DSL dans ses derniers Athlon 64-FX 130 nanomètres, mais la firme devrait exploiter cette technologie sur ses processeurs 90 nanomètre à partir du premier trimestre 2005, ce qui devrait permettra à AMD de proposer des processeurs cadencés à des fréquences encore plus hautes.