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Modules DDR3 2 Gb en 50 nm chez Samsung

30 septembre 2008 à 11h48
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Samsung a annoncé lundi tenir à disposition de l'industrie les premiers exemplaires de nouveaux modules de mémoire DDR3, qu'il présente comme les plus petits et les plus économes en énergie disponibles sur le marché. Gravés en 50 nanomètres, ces modules affichent une capacité de 2 Gb (256 mo) et consommeraient selon le fabricant jusqu'à 40% d'énergie en moins que les puces 1 Gb livrées jusqu'ici par ses soins.

Forts d'une densité record et d'un encombrement minimum, ils permettraient de constituer des barrettes de mémoire de 4 Go de SO-DIMM (mémoire pour ordinateurs portables) ou de 8 Go au format traditionnel, sans qu'il soit nécessaire d'empiler plusieurs modules les uns sur les autres. Samsung avance pour finir des débits de l'ordre de 1,3 Gb/s (soit des barrettes fonctionnant à 1300 MHz), avec une tension de fonctionnement comprise entre 1,35 et 1,5 Volt. La production devrait débuter dans le courant du quatrième trimestre.

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