La finesse de gravure des semi-conducteurs est un sujet très sensible alors que les entreprises de pointe sont rares.
En septembre dernier, Samsung et TSMC avaient évoqué des retards dans leurs progrès respectifs sur la gravure 3 nm. La technique est très délicate à maîtriser, et Samsung n'envisage plus une production de masse avant le début de l'année 2024.
Une production de masse dès Q2 2023 ?
Un temps empêtré dans des soucis assez similaires, TSMC semble mieux parti à présent. En effet, il faut savoir que le Taïwanais travaille sur trois procédés pour le 3 nm : les N3, N3B et N3E. Ce dernier est en quelque sorte la version « bas de gamme » du procédé. Elle n'intègre pas toutes les subtilités, mais est aussi plus simple à maîtriser.
Relayées par WCCFTech, des informations provenant de Morgan Stanley font justement état de progrès notables sur le N3E : les rendements seraient supérieurs à ceux attendus. De fait, TSMC se sent pousser des ailes et considère que le calendrier de production peut être accéléré, au moins pour ce procédé.
Le fondeur taïwanais estime que le nœud N3E pourrait être validé d'ici à la fin du mois de mars et que la production de masse débuterait un trimestre plus tôt que prévu : au deuxième trimestre 2023 plutôt qu'au troisième.
Source : WCCFTech
