Samsung : vers 128 Go de mémoire Flash en 30 nm

18 septembre 2018 à 15h11
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Samsung précise aujourd'hui qu'il a réussi à produire avec succès des puces de mémoires Flash gravées en 30 nanomètres (un nanomètre est égal à un milliardième de mètre). Grâce à cette finesse de gravure, Samsung affirme qu'il va réussir à mettre au point des puces qui seront capables de stocker davantage de données, tout en consommant moins d'énergie.

La firme coréenne précise à ce titre que ces puces pourraient donner naissance à des cartes mémoires de 128 Go. Une capacité mémoire qui pourrait aussi être associée aux futurs baladeurs audio/vidéo numériques. Selon une règle bien établie maintenant, les fabricants de mémoire arrivent à doubler la capacité de stockage de la mémoire Flash chaque année. En 2008 pourraient donc voir naître les premiers baladeurs / cartes mémoires de 64 Go destinées au grand public. En cette fin d'année 2007, la capacité de stockage de ces produits oscille principalement entre 4 et 16 Go.

Samsung a précisé que ses puces gravées en 30 nanomètres seront produites en masse à partir du second semestre 2009. Fin 2009, des produits dotés de mémoire Flash et capables de stocker jusqu'à 128 Go de données pourraient donc bien voir le jour.

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Une galette de puces mémoires Flash gravées en 30 nanomètres
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