Peu de temps après avoir annoncé de la mémoire DDR2 gravée en 50 nanomètres, Samsung le numéro un mondial de la mémoire concentre ses efforts sur la très populaire et rentable mémoire Flash employée dans de nombreux produits grand public (baladeurs, cartes mémoires ...). Ainsi, le géant Sud-Coréen nous apprend qu'il a commencé à produire des puces mémoires Flash NAND de 16 Gb (2 Go) gravées en 50 nanomètres.
Ces puces de type MLC (Multi-level Cell) intègrent notamment 4 Ko dédiés à la taille de la page mémoire. Selon Samsung, cela devrait permettre de doubler la vitesse de lecture des puces mémoire Flash et d'augmenter de 150% les performances en écriture comparés aux autres puces Flash disposant d'une capacité de page mémoire de 2 Ko.
Un disque dur SSD à base de mémoire Flash
Via ces améliorations, Samsung espère notamment populariser les SSD (Solid State Disk), c'est à dire les Disques durs entièrement composés d'électronique via l'utilisation de puces mémoires Flash. Samsung pourrait d'ailleurs proposer prochainement des disques SSD de 32 et de 64 Go exploitant ces nouvelles puces qui seront produites en masse pendant le premier trimestre 2007.
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