Cette mémoire Flash NAND de Samsung est en effet gravée à 50 nanomètres et possède une capacité de stockage de 16-gigabit, la société ne proposant avant celle-ci que des mémoires Flash NAND gravées à 60nm pour une capacité de 8-gigabit.
Concrètement parlant, la Samsung annonce la commercialisation prochaine d'une telle mémoire à la fin de l'année 2006. Cette puce de mémoire Flash est de plus annoncée comme possédant des dimensions assez compactes pour permettre de l'utiliser dans des cartes mémoires standards. A cette occasion, c'est une carte mémoire d'une capacité de pas moins de 32GB qui est annoncée par la société.
Non content de contrôler actuellement 60% du marché mondial de la mémoire Flash NAND, Samsung ambitionne également de détrôner les cartes MicroDrive, destinées jusqu'ici à posséder des capacités de stockage les plus importantes. Concurrent direct de la société, Hitachi a annoncé pour sa part que des MicroDrive d'une capacité de 20GB ne seraient pas commercialisés avant 2007.
