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et Infineon viennent d'annoncer la mise en place d'un programme de recherche sur la mémoire à changement de phase. Cette technologie consisterait à mettre en mémoire des données grâce à une modification de la structure du dispositif. En s'échauffant rapidement la structure peut être cristalline à un moment et amorphe l'instant d'après : du coup la réflection d'un laser va avoir une réflexion différente qui sera interprétée par l'ordinateur comme un 0 ou un 1. L'avantage ici est que les données ne disparaitront pas dès que l'électricité ne circule plus mais à l'inverse le procédé nécessite une mécanique qui peut s'altérer. 25 personnes seront dédiés à la recherche sur cette nouvelle technologie mémoire, alors qu'IBM et Infineon travaillent déjà en parallèle sur un autre type de mémoire baptisé 'spintronics'. Le résultat commercial de ces recherches pourrait ne pas intervenir avant les 20 prochaines années mais pour l'heure les grands du semiconducteur concentrent leurs efforts pour trouver des alternatives aux puces actuelles.
